Les deux partenaires vont développer une plateforme de fabrication de semiconducteurs de puissance en technologie GaN basée en Europe et dédiée aux exigences des applications automobiles, de centres de données et grand public.
Le groupe franco-italien et la société chinoise spécialiste de la technologie GaN sur silicium vont non seulement développer ensemble la prochaine génération de semiconducteurs de puissance à base de GaN, mais également exploiter conjointement leurs outils de production dédiés.
Texas Instruments a développé les premiers pilotes de grille pour transistors à effet de champ (FET) en nitrure de gallium (GaN) durcis aux radiations et capables de fonctionner jusqu’à 200 V.
La société britannique compte faire de sa technologie ICeGaN une alternative crédible aux composants SiC dans l’électronique de puissance appliquée aux véhicules électriques et aux datacenters.
Infineon estime que l’adoption des semi-conducteurs à base de nitrure de gallium va se généraliser dans de nombreuses applications dès cette année, des équipements grand public aux centres de données d’IA, en passant par la mobilité, les télécoms et le solaire.
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