Infineon renforce sa collaboration avec Nvidia pour développer des convertisseurs de bus intermédiaire (IBC) haute tension à base de nitrure de gallium (GaN), destinés aux centres de données d’IA en 800 VDC. Objectif : accroître le rendement énergétique et la densité de puissance tout en réduisant l’encombrement et les contraintes thermiques.
Le fabricant japonais lance un transistor GaN 650 V dans un boîtier de 8×8 mm refroidi sur les deux faces. Destiné aux alimentations 800 V des centres de données d’IA, il combine une résistance à l’état passant de 20 mΩ et un encombrement réduit de 57% par rapport à un modèle en boîtier TOLT de référence.
Les deux Américains se sont associés pour développer un design de référence 800V à base de nitrure de gallium, destiné aux data centers d’IA de nouvelle génération. Densité de puissance élevée, conversion directe 800 VDC vers 6 VDC et compacité figurent parmi ses principales caractéristiques.
Les circuits GaNFast de 5e génération de Navitas sont désormais fabriqués sur le sol américain grâce au partenariat signé fin 2025 avec son compatriote, le fondeur GlobalFoundries. Auparavant, Navitas faisait uniquement appel au fondeur taïwanais PSMC pour fabriquer ses circuits en nitrure de gallium.
Cette avancée importante étend le champ d’application du GaN aux plages de tension traditionnellement couvertes par le SiC, offrant ainsi une alternative haute fréquence convaincante pour des applications telles que les centres de données d’IA, les véhicules électriques et les infrastructures HVDC.
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