Cambridge GaN Devices intègre un code-barres sur ses circuits GaN
Ce faisant, le Britannique espère améliorer le rendement de fabrication de ses composants en nitrure de gallium et aider ses clients à se prémunir des contrefaçons.
Étiquette : HEMT
Les transistors GaN de Rohm intègrent leur pilote de grille dédié
Le Japonais étoffe sa gamme de transistors HEMT 650 V EcoGaN avec des modèles intégrant sur la même puce leur pilote de grille dédié ainsi que diverses fonctionnalités. De quoi simplifier l’utilisation des transistors GaN et favoriser leur adoption dans les applications grand public et professionnelles.
Cambridge GaN Devices propose de tester facilement ses composants de puissance
Les cartes d’interface de la jeune société britannique permettent aux utilisateurs d’essayer facilement ses composants ICeGAN dans les conceptions existantes, en lieu et place des composants GaN de la concurrence, sans modification du circuit imprimé.
Rohm débute la production de transistors HEMT 650V en GaN
Développés conjointement avec Ancora Semiconductors, une filiale de Delta Electronics, ces HEMT sont optimisés pour une large gamme de systèmes d’alimentation et de moteurs électriques.
Innoscience propose une solution demi-pont en technologie GaN-on-Si avec pilote intégré
Spécialiste des composants discrets en nitrure de gallium sur silicium, le fabricant chinois se lance dans les solutions GaN-on-Si intégrées avec la gamme SolidGaN inaugurée par l’ISG3201, un circuit demi-pont complet intégrant deux transistors HEMT 3,2 mΩ 100 V et leur circuit de commande.
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