Spécialiste des composants discrets en nitrure de gallium sur silicium, le fabricant chinois se lance dans les solutions GaN-on-Si intégrées avec la gamme SolidGaN inaugurée par l’ISG3201, un circuit demi-pont complet intégrant deux transistors HEMT 3,2 mΩ 100 V et leur circuit de commande.
Le Chinois lance l’INN650D080BS, le transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium de 650 V affichant la résistance drain-source à l’état passant la plus faible de son catalogue, avec 80 mΩ.
Le Chinois enrichit sa gamme InnoGaN de transistors à haute mobilité électronique de 650 V avec des modèles affichant des résistances drain-source à l’état passant de 190, 350 ou 600 mΩ.
Le GNE1040TB est le premier transistor à haute mobilité électronique (HEMT) 150 V en GaN du Japonais affichant une tension de claquage de grille de 8 V au lieu 6 V habituellement, avec pour objectif de fiabiliser les transistors de puissance en GaN.
Innoscience commercialise un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en GaN bidirectionnel 40 V à faible résistance à l’état passant, destiné aux appareils mobiles et aux chargeurs et adaptateurs dédiés.
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