Nexperia lance des Mosfet 100 V miniatures à faible Rds(on) pour l’automobile
Ces Mosfet en boîtier de 12 x 12 mm, qui présentent de faible pertes de conduction, ciblent essentiellement les applications automobiles en 48 V.
Étiquette : MOSFET
Toshiba améliore les performances de ses Mosfet grâce à un nouveau boîtier
Le nouveau boîtier SOP Advance(E) du Japonais permet de réduire les pertes de ses Mosfet de puissance canal N 80 V et 150 V et d’améliorer le rendement des équipements industriels, des centres de données et des stations de base.
Infineon loge ses Mosfet CoolSiC 1200 V dans des boîtiers refroidis par le haut
Le fabricant allemand décline désormais ses Mosfet CoolSiC 1200 V en boîtier Q-DPAK refroidi par le haut pour des performances thermiques et une densité de puissance optimisées et adaptées aux applications industrielles exigeantes.
Mosfet automobiles aux performances thermiques améliorées
Grâce à un boîtier SSO10T permettant l’évacuation de la chaleur par le haut, ces Mosfet 40 V pour applications automobiles d’Infineon Technologies éliminent le transfert de la chaleur à travers le PCB, contrairement au boîtier SSO8 standard, et améliorent ainsi de manière significative leurs performances thermiques.
Toshiba améliore les performances de ses Mosfet automobiles de 40 V grâce à un nouveau boîtier
Hébergés dans un boîtier innovant de taille réduite, les derniers Mosfet canal N de 40 V du Japonais présentent une résistance à l’état passant réduite de 11% par rapport aux modèles précédents et délivrent un courant jusqu’à 200 A en continu.
