Avec le TPHR6704RL, Toshiba améliore nettement l’efficacité des alimentations grâce à une résistance à l’état passant très faible et des performances de commutation optimisées. Ce composant vise les applications exigeantes comme les data centers et l’industrie.
Ces Mosfet en boîtier de 12 x 12 mm, qui présentent de faible pertes de conduction, ciblent essentiellement les applications automobiles en 48 V.
Le nouveau boîtier SOP Advance(E) du Japonais permet de réduire les pertes de ses Mosfet de puissance canal N 80 V et 150 V et d’améliorer le rendement des équipements industriels, des centres de données et des stations de base.
Le fabricant allemand décline désormais ses Mosfet CoolSiC 1200 V en boîtier Q-DPAK refroidi par le haut pour des performances thermiques et une densité de puissance optimisées et adaptées aux applications industrielles exigeantes.
Grâce à un boîtier SSO10T permettant l’évacuation de la chaleur par le haut, ces Mosfet 40 V pour applications automobiles d’Infineon Technologies éliminent le transfert de la chaleur à travers le PCB, contrairement au boîtier SSO8 standard, et améliorent ainsi de manière significative leurs performances thermiques.
Entretien avec Laurence Dassas, déléguée générale de la Fédération de l’Electronique Française
Entretien exclusif avec Miin Wu, Pdg de Macronix, acteur majeur des mémoires
Selon la Cour des comptes, la France investit massivement dans les semiconducteurs mais sans cap précis
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