L’investissement concerne l’extension des capacités de R&D et de production du groupe dans le domaine des semiconducteurs à grand gap mais aussi du silicium. Le site allemand accueillera ainsi les trois principales technologies de semiconducteurs.
Développés en coopération avec Mitsubishi Electric, les derniers Mosfet 1200 V en carbure de silicium de la série NSF0xx120D7A0 signée Nexperia se déclinent désormais en boitier CMS de type D²PAK-7. Outre le type de boîtier utilisé, Nexperia s’est attelé à réduire la variation de la résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) de ces composants en fonction de la température.
Nexperia propose un calculateur d’équilibre énergétique, un outil web conçu pour aider les ingénieurs en gestion de batterie à optimiser la durée de vie des batteries, et donc l’autonomie de leurs applications.
Cette décision met fin à plus de deux et demi d’une saga épique pour cette usine pour laquelle le groupe industriel américain a de grandes ambitions, en particulier dans le domaine du SiC.
Développés dans le cadre de l’accord récent signé avec Mitsubishi Electric, ces Mosfet SiC 1200 V référencés NSF040120L3A0 et NSF080120L3A0 affichent des performances intéressantes, notamment en termes de stabilité en température.
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