Vishay réduit de plus de 50% la résistance de ses Mosfet 60 V et 80 V
Les modèles référencés SiJH600E et SiJH800E voient leur résistance à l’état passant réduite à 0,65 mΩ et 1,22 mΩ respectivement sous 10 V.
Vishay lance une série de transistors Mosfet canal N de la famille TrenchFET dont la résistance à l’état passant est réduite de plus de moitié par rapport aux modèles de génération précédente en boîtier PowerPAK SO-8, réduisant ainsi les pertes énergétiques.
Le modèle 60 V référencé SiJH600E affiche ainsi une résistance à l’état passant de seulement 0,65 mΩ (-54%) tandis que celui de 80 V référencé SiJH800E est donné pour 1,22 mΩ (-52%), sous 10 V. Ils sont tous les deux encapsulés en boîtier PowerPak 8x8L de 8 x 7,9 mm, connu pour sa fiabilité.
Capables de fonctionner entre -55°C et +175°C, ils présentent un courant de drain de 373 A et 288 A respectivement et s’adressent aux applications industrielles et télécoms.
