IGBT 1350 V amélioré pour appareils ménagers | Toshiba
Toshiba Electronics Europe a lancé un nouveau transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) 1350 V, destiné aux appareils ménagers à résonance utilisant le chauffage par induction, comme les tables de cuisson, les cuiseurs à riz et les fours à micro-ondes.
Le nouvel IGBT, GT20N135SRA, présente une tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) de 1,60 V (typique) et une tension directe de diode (VF) de 1,75 V, ce qui correspond respectivement à environ 10% et 21% de moins que les dispositifs classiques. Les caractéristiques de pertes par conduction à haute température (TC = 100°C) de l’IGBT et de la diode étant améliorées, le dispositif présente un rendement supérieur.
En outre, la très bonne résistance thermique jonction-boîtier (Rth(j-c)) de 0,48℃/W facilite la conception thermique, puisqu’elle réduit la chaleur dissipée d’environ 26% par rapport aux dispositifs existants.
Le nouveau GT20N135SRA est capable de supprimer le courant de court-circuit grâce à un condensateur de résonance qui est généré au démarrage du dispositif. La valeur crête du courant de court-circuit de ce nouvel IGBT est de 129 A, soit près d’un tiers de moins que les produits existants.
La fenêtre d’utilisation sûre (SOA pour Safe Operating Area en anglais) du dispositif est élargie, ce qui signifie que cet IGBT est moins susceptible de défaillance en conditions normales d’utilisation, ce qui laisse plus de souplesse aux concepteurs.
Conditionné en boîtier TO-247 standard, ce dispositif peut supporter un courant collecteur (IC) maximum de 40 A, ramené à 20 A à 100℃.
Fabricant : Toshiba
Référence : GT20N135SRA
