Murata booste les performances de ses condensateurs sur silicium
Le Japonais porte la capacité de ses condensateurs intégrés sur silicium à 1,3 µF/mm² et leur épaisseur à moins de 40 µm.
Depuis le rachat en 2016 de la société caennaise IPDiA, Murata est devenu, de fait, un spécialiste des composants passifs intégrés sur silicium, en particulier des condensateurs intégrés sur silicium.
Cinq ans après, le Japonais affirme avoir amélioré le procédé de fabrication et le prouve avec le lancement d’une technologie 3D permettant de fabriquer des condensateurs sur silicium avec une capacité portée à 1,3 µF/mm², tout en conservant des inductances série équivalentes (ESL) et des résistances série équivalentes (ESR) très faibles (quelques pH et mΩ respectivement). De quoi supporter les exigences des réseaux de distribution d’alimentation (PND, power distribution network) qui nécessitent une faible impédance sur une large bande de fréquence.
Murata a par ailleurs réussi à réduire encore davantage l’épaisseur de ses condensateurs intégrés sur silicium pour la ramener à moins de 40 µm. Une caractéristique qui répond bien à l’évolution actuelle vers des circuits numériques fonctionnant à des tensions toujours plus basses, pour lesquels les niveaux de bruit et les fluctuations de tension sont vite problématiques. Le très faible profil des condensateurs sur silicium permet en effet de les intégrer dans le boîtier le plus près possible de la puce, minimisant ainsi la longueur effective parcourue par le courant et donc les parasites.
Bien évidemment, le principal avantage des condensateurs sur silicium à terminaisons multiples réside dans le gain de place sur la carte par rapport à des condensateurs céramiques monolithiques classiques. Et l’intégration sur silicium permet également la réalisation d’économies substantielles, selon Murata, en matière de nomenclature et de coûts de montage.
