EPC lance un FET en technologie GaN pour les lidars à haute résolution
Œuvres du Californien EPC, les transistors à effet de champs en GaN de la série EPC2252 ciblent les lidars automobiles haute résolution, mais aussi la conversion DC-DC 48 V – 12 V et les commandes de moteur à faible inductance.
Efficient Power Conversion (EPC) enrichit son catalogue déjà bien fourni de FET en nitrure de gallium de sa marque eGaN avec un modèle de 80 V qualifié AEC-Q101 qui cible en premier lieu des lidars automobiles haute résolution, mais également les systèmes de conversion DC-DC 48 V – 12 V et les commandes de moteur à faible inductance.
Référencés EPC2252, ces transistors à effet de champ exploitent la vitesse de commutation élevée du GaN, avec des transitions inférieures à la nanoseconde, et la capacité de générer des impulsions à courant élevé de moins de 3 ns, pour améliorer la portée et la résolution des lidars utilisés pour la conduite autonome, le stationnement et l’évitement des collisions.
Offrant une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) maximale de 11 mΩ, les FET EPC2252 se caractérisent également par une densité de puissance élevée, en délivrant un courant pulsé de 75 A dans une empreinte de seulement 1,5 x 1,5 mm.
Les EPC2252 sont disponibles au prix de 0,91 dollar l’unité par quantité de 1000 pièces.
Rappelons qu’EPC met à disposition de ses clients un outil de références croisées, l’EPC GaN Power Bench, qui permet au concepteurs souhaitant remplacer leurs Mosfet silicium par une solution GaN, de faire le meilleur choix possible en fonction de leurs exigences spécifiques.
