Un circuit de commande signé Rohm optimise les performances des composants GaN
En réduisant à seulement 2 ns la largeur d’impulsion de ses circuits de commande exploitant sa technologie Nano Pulse Control, le Japonais espère extraire le maximum de performances de ses composants en nitrure de gallium.
Alors que l’adoption des composants GaN s’accélère du fait de leur fréquence de commutation très élevée, avec à la clé des solutions moins énergivores et bien plus compactes, cette montée en fréquence n’est pas sans poser un certain nombre de défis, notamment au niveau des composants passifs, qui doivent s’adapter, ou bien encore de la CEM. Selon Rohm, il ne faut pas non plus oublier les circuits de commande des composants GaN qui doivent, eux aussi, composer avec des vitesses de commutation très rapides pour ne pas limiter les performances du GaN.
Pour répondre à cette problématique et ainsi optimiser les performances des composants GaN, le Japonais annonce avoir fait évoluer sa technologie de contrôle des impulsions à ultra-grande vitesse Nano Pulse Control, en réduisant significativement sa largeur d’impulsion de commande, passant de 9 ns pour les modèles précédents, à seulement à 2ns aujourd’hui, ce qui serait sans équivalent sur le marché, selon Rohm.
Cette amélioration permet de passer de tensions jusqu’à 60 V à des tensions aussi faibles que 0,6 V avec un seul circuit intégré d’alimentation dans les applications 24 V et 48 V, contrairement aux solutions classiques qui nécessitent deux circuits ou plus, explique la société. Ce qui concourt aussi à la miniaturisation des solutions GaN. L’association des composants EcoGaN de Rohm avec ces circuits de commande optimisés permet ainsi de réduire d’environ 86% l’empreinte des circuits d’alimentation par rapport à des solutions conventionnelles basées sur du silicium.
Le Japonais indique travailler actuellement à la commercialisation de circuits de commande utilisant cette technologie, avec une feuille de route qui prévoit l’expédition d’échantillons de circuits DC-DC 100 V au cours du second semestre 2023, et ainsi favoriser l’adoption du GaN dans les stations de base et les centres de données, mais également dans les applications d’automatisation industrielles et les drones.
