GF produit aux Etats-Unis les circuits GaN Gen5 de Navitas
Les circuits GaNFast de 5e génération de Navitas sont désormais fabriqués sur le sol américain grâce au partenariat signé fin 2025 avec son compatriote, le fondeur GlobalFoundries. Auparavant, Navitas faisait uniquement appel au fondeur taïwanais PSMC pour fabriquer ses circuits en nitrure de gallium.
Navitas Semiconductor annonce le début des livraisons de sa technologie GaNFast de 5e génération, désormais fabriquée aux États-Unis en partenariat avec le fondeur américain GlobalFoundries (GF). Cette étape s’inscrit dans le renforcement de l’écosystème GaN national pour les infrastructures d’IA et les applications critiques de sécurité nationale, faisant suite à un partenariat annoncé en novembre 2025 entre les deux entreprises. Jusqu’ici, Navitas faisait uniquement appel au fondeur taïwanais PSMC pour fabriquer ses circuits en nitrure de gallium.
© Navitas Semiconductor / GlobalFoundries
Navitas a développé ses transistors GaNFast Gen 5 et ses circuits intégrés de puissance pour une production sur le site de GF à Burlington, dans le Vermont, une usine spécialisée dans la fabrication de semi-conducteurs GaN sur silicium à partir de tranches de 200 mm de diamètre. Se présentant comme un pionnier des semi-conducteurs de puissance GaN depuis 2014, Navitas détient plus de 300 brevets délivrés ou en cours d’examen dans les technologies GaN et SiC et a mis cette expertise à profit pour adapter ses architectures à la plateforme de fabrication de GF.
« Cette étape importante témoigne de la force de l’innovation et de l’industrie manufacturière américaines. Avec GlobalFoundries, nous avons établi une source de fabrication fiable aux États-Unis pour notre technologie GaNFast Gen 5 et les générations futures, qui joueront un rôle essentiel dans l’alimentation de l’infrastructure d’IA et du calcul haute performance », anticipe Chris Allexandre, Pdg de Navitas.
« La première livraison issue de notre ligne de production américaine démontre comment GF et Navitas transforment l’innovation de pointe en matière de GaN en un approvisionnement national sécurisé et évolutif », souligne, pour sa part, Kannan Soundarapandian, vice-président senior de la division Puissance de GF.
La gamme initiale devrait comprendre des transistors FET GaN 650V avec des valeurs de résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) de 11, 18, 50, 120 et 150 mΩ. Les premiers échantillons destinés aux clients jugés stratégiques devraient être disponibles avant la fin de l’année.
