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Globalfoundries construit une usine pour le FD-SOI en Chine

Globalfoundries construit une usine pour le FD-SOI en Chine

Deuxième fondeur mondial avec 5,545 milliards de dollars de chiffre d’affaires en 2016 selon IC Insights, Globalfoundries vient d’annoncer un vaste plan d’investissement pour augmenter ses capacités de production dans toutes les régions du monde (Etats-Unis, Allemagne, Chine, Singapour), tant pour les technologies de type FinFET, que pour le FD-SOI. Pour cette dernière, Globalfoundries va notamment construire une usine à Chengdu, en Chine, qui sera opérationnelle pour une production de volume en 2019.

Rappelons que Globalfoundries est avec Samsung l’un des deux fondeurs à avoir pris une licence de la technologie FD-SOI (*), crédibilisant cette filière technologique développée en France autour de STMicroelectronics, Soitec et du CEA-Léti.

Globalfoundries ne dévoile pas le montant des investissements qu’il engage, mais vu l’ampleur des projets annoncés, ils se chiffrent à plusieurs milliards de dollars. En Chine, le fondeur s’allie à la municipalité de Chengdu pour construire une fab qui sera dédiée à la production  de circuits en technologie FD-SOI sur tranches de 300 mm de diamètre. L’usine démarrera sa production en 2018 avec des procédés standards avec de basculer sur une production de volume en technologie FD-SOI 22 nm au quatrième trimestre 2019. Globalfoundries motive cet investissement par l’accroissement de la demande. Le fondeur ne cite pas de clients en particulier mais indique que Chengdu abrite de nombreuses implantations de géants mondiaux des technologies de l’information, tels Intel, Texas Instruments, AMD, MediaTek, Dell, Lenovo et Foxconn, ainsi que 115 des 500 premières entreprises du classement Fortune Global 500. En 2016, les échanges commerciaux de la zone “High and New Technology Development Area » de Chengdu ont représenté 24,9 milliards de dollars.

Plus près de nous, l’usine de Globalfoundries de Dresde est également concernée par le plan d’expansion du fondeur. Pour répondre à la demande croissante de ses clients liée au développement des marchés de l’Internet des Objets, des processeurs pour la téléphonie mobile, de l’électronique embarquée dans l’automobile et autres applications d’objets connectés sans fil sur batterie, Globalfoundries annonce l’augmentation de 40% d’ici 2020 des capacités de l’usine Fab 1 de Dresde dédiées à la plateforme 22FDX basée sur du FD-SOI gravé en 22 nm. De plus, le fondeur poursuit sur place l’extension au 12nm de la roadmap technologique de sa plate-forme FD-SOI FDX, dont les premiers échantillons sont attendus pour la mi-2018. Rappelons qu’en juillet 2015, Globalfoundries avait lancé sa plateforme technologique 22FDX pour la réalisation de semiconducteurs en technologie FD-SOI 22 nm. Le fondeur a déjà  investi à Dresde 250 millions de dollars pour le développement de la technologie FDX et l’établissement d’une capacité de production initiale.

Par ailleurs, Globalfoundries a également annoncé de nouvelles capacités de production pour la fabrication à Singapour de semiconducteurs dédiés à la radio-fréquence basés sur la technologie RF-SOI (100% des smartphones utilisent la technologie RF-SOI de Soitec). A Singapour, Globalfoundries va également accroitre de 35% sa capacité de production en technologie 40 nm sur tranches de 300 mm et accroître sa capacité de production en technologie 180 nm sur tranches de 200 mm.

Le fondeur, qui a repris les activités d’IBM Microelectronics à la mi-2015, n’en oublie pas les Etats-Unis. La capacité de production en technologie FinFET 14 nm de sa Fab 8 dans l’Etat de New York va être augmentée de 20%, à partir du début de 2018. Et ce complexe industriel continuera d’être le centre de développement pour le FinFET 7 nm et la lithographie aux UV profonds (EUV). La production en 7 nm devrait y démarrer au deuxième trimestre 2018. Au cours des 8 dernières années, Globalfoundries indique avoir 13 milliards de dollars dans l’extension de ses productions aux Etats-Unis.

(*) La technologie FD-SOI résulte d’une activité de recherche et développement mené au sein du pôle technologique grenoblois regroupant ST, le CEA-Leti, Soitec ainsi que d’autres partenaires. Cette technologie de fabrication de semiconducteurs prolonge la Loi de Moore en permettant de faire évoluer la technologie planaire traditionnellement utilisée pour fabriquer des semiconducteurs. Contrairement à d’autres filières de fabrication tel le FinFET, la technologie FD-SOI bénéficie de la continuité des flux de conception existants, et est prise en charge par un large éventail de logiciels de CAO électronique et d’équipements de production déjà installés. Outre l’exploitation des flux de conception et du matériel de production existants, cette technologie est censée réduire de façon significative la complexité des processus de production.

 

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