Infineon et Nvidia parient sur le GaN 800 V pour les datacenters d’IA
Infineon renforce sa collaboration avec Nvidia pour développer des convertisseurs de bus intermédiaire (IBC) haute tension à base de nitrure de gallium (GaN), destinés aux centres de données d’IA en 800 VDC. Objectif : accroître le rendement énergétique et la densité de puissance tout en réduisant l’encombrement et les contraintes thermiques.
Un accord de plus autour des architectures 800 VDC dédiées aux centres de données d’IA. Infineon Technologies vient en effet de renforcer sa collaboration avec Nvidia sur le sujet. Coïncidant avec la conférence des développeurs GTC Berlin de Nvidia, cette annonce porte sur les convertisseurs de bus intermédiaire (IBC) haute tension, qui constituent l’une des étapes de conversion les plus critiques et exigeantes de la chaîne d’alimentation des datacenters d’IA. Et selon Infineon, la technologie GaN s’impose comme « la solution idéale pour cette étape ». Ce développement commun s’appuie sur la collaboration entre les deux entreprises, annoncée initialement en mai 2025 et détaillée en octobre 2025, qui visait à proposer des racks de serveurs 800 VDC remplaçables à chaud.
« L’IA redéfinit en profondeur les exigences que nous imposons aux infrastructures d’alimentation, et les semi-conducteurs sont au cœur de la solution face à ce défi, souligne Jochen Hanebeck, Pdg d’Infineon Technologies. Notre collaboration avec Nvidia sur les architectures d’alimentation 800 volts illustre le potentiel de l’alliance entre une expertise pointue en semi-conducteurs et le rythme d’innovation imposé par l’IA. Les systèmes à base de nitrure de gallium sont essentiels à cette nouvelle génération de datacenters. »
© Infineon Technologies
Pour rappel, face à la consommation énergétique extrême des charges de travail d’IA, les datacenters ont adopté des architectures à bus intermédiaire dans lesquelles un IBC abaisse la tension du bus principal alimentant les cartes d’accélération vers une tension plus basse, permettant ainsi aux étages suivants de générer efficacement les tensions d’alimentation optimales requises par les processeurs d’IA, tant au niveau du cœur que des points de charge.
Cette approche multi-étage réduit les pertes de distribution, tout en respectant des contraintes strictes de surface, de dissipation thermique et de disponibilité. Avec l’expansion des infrastructures d’IA, l’alimentation 800 VDC est introduite aux côtés des architectures AC et DC basse tension existantes, afin d’offrir une option de distribution supplémentaire pour le calcul haute densité.
Pour s’adapter au mieux à cette architecture, Infineon met en avant les bienfaits du nitrure de gallium qui, comparé au silicium, permet une commutation nettement plus rapide et moins coûteuse des dispositifs de puissance, autorisant ainsi des fréquences de commutation jusqu’à 1 MHz au niveau de l’IBC. Il en résulte une réduction significative de la taille des composants magnétiques et passifs, se traduisant directement par une densité de puissance accrue et une hauteur de carte réduite, un atout crucial compte tenu de la raréfaction de l’espace rack dans les datacenters dédiés à l’IA.
Parallèlement, les faibles pertes de conduction et de commutation du GaN garantissent un rendement de conversion optimal, limitant ainsi la génération de chaleur même lorsque la puissance par rack atteint le mégawatt, selon l’Allemand, qui voit ainsi dans le GaN « la technologie semi-conductrice de référence pour répondre aux exigences combinées de densité de puissance, de rendement et de réactivité transitoire au niveau de l’IBC ».
Par ailleurs, Infineon évoque le fait que ses produits GaN peuvent être associés à ses gammes de produits PSoC Control C3 et EiceDRIVER, afin de proposer des solutions système complètes pour IBC. Cela d’autant que la gamme de produits GaN d’Infineon prend en charge tous les rapports de conversion requis à l’étage IBC haute tension, notamment 800 V vers 50 V, 800 V vers 12 V et 800 V vers 6 V, offrant ainsi aux opérateurs de centres de données la flexibilité nécessaire pour optimiser les architectures de racks sans compromettre la densité de puissance ni l’efficacité.
Rappelons qu’Infineon et Nvidia collaborent sur l’ensemble de la chaîne d’alimentation des centres de données. Outre les IBC, cette collaboration inclut également des solutions de protection des chemins d’alimentation, annoncées en octobre 2025, ciblant des aspects de sécurité et de maintenance tels que la fonctionnalité de contrôleur remplaçable à chaud et permettant aux futures cartes mères de serveurs de fonctionner avec des architectures d’alimentation 800 VDC.
