La Chine capable de produire ses propres machines de lithographie EUV dès 2026 ?
Bientôt un concurrent chinois pour ASML ? Selon des médias américain et taïwanais, la Chine pourrait commencer à tester ses propres équipements de lithographie aux UV extrêmes (EUV) dès le troisième trimestre 2025 et les produire à partir de 2026. Ce qui permettrait à la Chine de produire ses propres puces avancées dédiées à l’IA, ce dont elle est incapable aujourd’hui, du fait des restrictions américaines.
Le durcissement des restrictions imposées par les Etats-Unis et certains pays européens, comme les Pays-Bas, concernant l’exportation vers la Chine des puces les plus avancés et des équipements pour les produire, a jusqu’ici rempli son objectif : entraver la capacité de la Chine à se doter de technologies de pointe, telles que l’IA, qui nécessitent des puces de dernière génération. Aucun fabricant de semi-conducteurs chinois n’est en effet capable, aujourd’hui, de produire à grande échelle des puces à partir de nœuds de gravure de moins de 10 nm avec des rendements et des coûts satisfaisants.
© ASML
Mais les choses pourraient bien changer si l’on en croit les publications américaine Wccftech et taïwanaise XFastest. La Chine aurait ainsi développé ses propres machines de lithographie aux UV extrêmes (EUV, Extreme UltraViolet), ce qui lui permettrait potentiellement de produire des puces avancées exploitant des nœuds de gravure de 7 nm et moins, sans passer par les machines EUV du Néerlandais ASML (photo), numéro un mondial des équipements de lithographie dédiés à la fabrication de semi-conducteurs, auxquelles les Chinois n’ont pas accès du fait des restrictions américaines. Une feuille de route précise est même avancée, faisant mention de tests de ces machines chinoises auprès de Huawei et du fondeur Smic dès le troisième trimestre 2025, avant le lancement de leur production à partir de 2026.
Par ailleurs, les équipements EUV chinois utiliseraient une variante du procédé LPP (Laser-Produced Plasma) d’ASML, nommée LDP (Laser Discharge induced Plasma) et censée offrir des avantages par rapport à la technologie du Néerlandais, tels qu’une architecture simplifiée, une efficacité énergétique améliorée, un encombrement réduit et coût potentiellement inférieur. La technologie LDP génère un rayonnement EUV de 13,5 nm en vaporisant de l’étain entre des électrodes et en le transformant en plasma via une décharge haute tension, où les collisions électron-ion génèrent le rayonnement EUV. A l’heure actuelle, les fabricants chinois utilisent des équipements de lithographie DUV (Deep UltraViolet) standard émettant des longueurs d’onde à 248 nm ou 193 nm, ne leur permettant pas de produire des puces de dernière génération.
Ces éléments doivent, bien sûr, être pris avec les précautions d’usage, d’autant qu’ils n’ont pas été confirmés par Huawei et Smic. Mais une chose est sûre : la Chine compte bien développer des puces avancées par ses propres moyens pour contourner les restrictions américaines. Mais il lui faudra sans doute plusieurs années pour mettre en place ce nouvel outil, plus encore pour combler son retard technologique sur ASML et encore davantage pour potentiellement remettre en question la domination du Néerlandais sur le créneau des équipements de lithographie EUV. D’autant que ce dernier possède toujours au moins un coup d’avance avec ses machines EUV à haute ouverture numérique (High NA), qui repoussent encore plus loin la finesse des nœuds de gravure.
