Le marché des semiconducteurs SiC et GaN pourrait croître de 48% par an
Selon TrendForce, le marché mondial des semiconducteurs de puissance en technologies SiC et GaN passera de 980 millions de dollars en 2021 à 4,71 milliards de dollars US en 2025, soit un taux de croissance annuel moyen de 48%.
Le carbure de silicium (SiC) convient aux applications à haute puissance, telles que le stockage d’énergie, l’énergie éolienne, l’énergie solaire, les véhicules électriques, les véhicules à énergie nouvelle (NEV) et d’autres industries qui utilisent des systèmes de batterie très exigeants. Parmi ces industries, les véhicules électriques ont attiré beaucoup d’attention. Cependant, la plupart des semiconducteurs de puissance utilisés actuellement dans les véhicules électriques sont des circuits à base de silicium, tels que des IGBT et Mosfet. Cependant, à mesure que les systèmes d’alimentation par batterie EV se développent progressivement à des niveaux de tension supérieurs à 800 V, le SiC produira de meilleures performances dans les systèmes à haute tension par rapport au Si, explique TrendForce. Le SiC devrait ainsi progressivement remplacer une partie des conceptions de circuits silicium, améliorant les performances du véhicule et optimisant l’architecture du véhicule. Dans ce contexte, le marché des semiconducteurs de puissance SiC pourrait atteindre 3,39 milliards de dollars d’ici 2025, soutient le cabinet d’études taïwanais.
Pour sa part, le nitrure de gallium (GaN) convient aux applications à haute fréquence, y compris les appareils de communication et les chargeurs rapides des téléphones portables, des tablettes et autres ordinateurs portables. Par rapport à la charge rapide traditionnelle, la charge rapide GaN a une densité de puissance plus élevée, de sorte que la vitesse de charge est plus rapide dans un boîtier plus petit et plus facile à transporter. Ces avantages se sont avérés attrayants pour de nombreux fabricants et plusieurs ont déjà commencé à développer cette filière. Le marché des semiconducteurs de puissance GaN pourrait ainsi atteindre 1,32 milliard de dollars d’ici 2025.
TrendForce souligne néanmoins que les substrats SiC et GaN sont plus difficiles à fabriquer et plus chers que les tranches traditionnelles en silicium. Profitant du développement actuel des principaux fournisseurs de substrats, des sociétés telles que Wolfspeed, II-VI et Qromis ont successivement étendu leur capacité de production et produiront en masse des substrats de 200 mm de diamètre au 2e semestre 2022.
