Les lignes pilotes du projet européen FAMES bientôt accessibles
Le projet FAMES, qui vise à soutenir le développement en Europe de technologies avancées dans le domaine des semi-conducteurs, se concrétise : un premier appel à candidature pour utiliser les lignes pilotes dédiées, sera ouvert à partir du 18 mars prochain.
En juillet 2024, le CEA Leti annonçait le lancement officiel du projet FAMES, une initiative visant à mettre en place des lignes pilotes ouvertes aux industriels, start-up, laboratoires de recherche et universités, et destinée à soutenir la R&D nécessaire pour accroître les capacités européennes de développement et de fabrication de semi-conducteurs, en garantissant un portefeuille de technologies souveraines.
Financée à parts égales par les États membres participants et Chips JU, une entreprise commune sur les puces dont l’objectif est de combler le fossé entre la recherche, l’innovation et la production, cette initiative de 830 millions d’euros, qui seront alloués jusqu’en décembre 2028, s’aligne sur l’ambition de l’European Chips Act.
Aujourd’hui, ce projet piloté par le CEA Leti se concrétise puisqu’il a officiellement été lancé à Bruxelles fin janvier et, surtout, qu’un premier appel à candidature pour utiliser les lignes pilotes de FAMES sera ouvert à partir du 18 mars prochain. Un événement est d’ailleurs organisé à cette occasion pour permettre aux candidats – que ce soit des grands groupes industriels, des PME, des start-up, des laboratoires de recherche ou des universités – de connaître les modalités d’accès à ces lignes pilotes.
Henna Virkkunen, vice-présidente exécutive de la Commission européenne, et François Jacq, président du CEA, le 16 janvier 2025 à Bruxelles – © FAMES
Rappelons que les lignes pilotes du projet FAMES sont axées sur cinq briques technologiques censées créer des opportunités de marché pour les microcontrôleurs de faible consommation, les unités multiprocesseurs (MPU), les dispositifs d’IA et d’apprentissage automatique de pointe, les processeurs intelligents de fusion de données, les dispositifs RF, les puces pour la 5G/6G, les puces pour l’automobile, les capteurs et imageurs intelligents, et les nouveaux composants pour le spatial.
Ces cinq briques technologiques concernent les nœuds de nouvelle génération à 10 nm et 7 nm pour le FD-SOI, plusieurs types de mémoires non volatiles embarquées (OxRAM, FeRAM, MRAM et FeFET), les composants radiofréquences (commutateurs, filtres et condensateurs), deux options d’intégration 3D (intégration hétérogène et intégration séquentielle), et les inductances miniatures pour développer des convertisseurs DC-DC dédiés aux circuits intégrés de gestion de l’alimentation (PMIC).
« Le lancement du projet FAMES est un moment charnière pour le paysage européen des semi-conducteurs. Cette initiative renforce non seulement nos capacités de R&D, mais garantit également que l’Europe reste à la pointe de l’innovation technologique en matière de solutions de puces économes en énergie », souligne François Jacq, président du CEA.
Outre le CEA leti, coordinateur du projet, le consortium FAMES comprend l’imec (Belgique), Fraunhofer (Allemagne), Tyndall (Irlande), VTT (Finlande), CEZAMAT WUT (Pologne), UCLouvain (Belgique), Silicon Austria Labs (Autriche), SiNANO Institute (France), Grenoble INP (France) et l’Université de Grenade (Espagne).
© FAMES
