Microchip enrichit son offre en composants de puissance RF en GaN
L’Américain introduit toute une série de composants de puissance RF exploitant sa technologie de nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN-on-SiC) et couvrant la gamme de fréquence de 2 à 20 GHz.
Microchip Technology poursuit l’exploitation de sa technologie de nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN-on-SiC) avec le lancement de toute une série de composants de puissance RF offrant des performances adaptées à des applications telles que la 5G mais également les communications satellites et militaires, notamment en termes de rendement de puissance ajoutée (PAE, Power-Added Efficiency) et de linéarité. L’ensemble de la nouvelle offre proposée couvre une plage de fréquence allant de 2 à 20 GHz.
Disponibles en volume, ces composants fraîchement commercialisés comprennent des circuits micro-ondes monolithiques (MMIC) couvrant les plages de fréquence de 2 à 18 GHz, de 12 à 20 GHz et de 12 à 20 GHz, avec une puissance de sortie RF pouvant culminer à 20 W avec un rendement de 25 %, mais aussi des amplificateurs RF sous forme de puces nues ou encapsulées, pour la bande S ou X, avec un PAE allant jusqu’à 60 %, ainsi que de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) allant du continu jusqu’à à 14 GHz, avec une puissance de sortie maximale de 100 W et un rendement de 70 %.
« Microchip continue d’investir dans sa famille de produits RF à base de GaN pour permettre le développement d’applications à toute fréquence, depuis les micro-ondes jusqu’aux ondes millimétriques. Notre portefeuille de produits comprend ainsi plus de 50 composants, des niveaux de puissance les plus faibles jusqu’à 2,2 kW », souligne Leon Gross, vice-président du département des produits discrets chez Microchip.
Comme tous les produits de puissance RF en GaN de Microchip, ces composants sont fabriqués à partir de la technologie GaN sur SiC, la seule, selon l’Américain, à offrir la meilleure combinaison entre densité de puissance élevée, rendement de haut niveau, fonctionnement haute tension et grande longévité à température élevée (supérieure à 1 million d’heures à une température de jonction de 255 °C).
