MOSFET de puissance canal-N 100V | Toshiba
Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d’étendre sa série U-MOS VIII-H, avec deux MOSFET de puissance basse-tension canal-N. Ces dispositifs conviennent à certaines applications comme les chargeurs rapides, les alimentations à découpage ou les convertisseurs DC-DC. Ces deux MOSFET canal-N 100V peuvent être pilotés par un niveau logique 4,5 V de chargeur rapide.
Du fait de la popularité et de l’évolution des chargeurs rapides, des MOSFET de puissance plus performants sont nécessaires pour servir au secondaire des redresseurs. Les nouveaux transistors MOSFET font appel au procédé Toshiba basse-tension à structure « trench » (tranchée) pour produire la plus faible résistance à l’état passant du marché et une commutation ultra-rapide.
Cette structure de semiconducteurs évoluée améliore le facteur de mérite principal (RDS(ON) * Qsw ), améliorant ainsi les performances des applications de commutation. Les pertes de sortie sont améliorées grâce à la réduction de la charge électrique en sortie, qui augmente le rendement du système.
Le TPH6R30ANL accepte une valeur de courant (ID) jusqu’à 45A et une résistance Drain-Source à l’état passant (RDS(ON)) pouvant descendre à 6,3 mOhm, tandis que le TPH4R10ANL est donné pour 70A et 4,1 mOhm.
La possibilité de commande à partir d’un niveau logique 4,5 V permet un pilotage direct par le CI contrôleur sans buffer, ce qui contribue encore à réduire la consommation. En outre, ces dispositifs sont compatibles avec les alimentations haute-tension dont ont besoin les applications utilisant l’USB 3.0. Le boîtier standard SOP-Advance de 5 x 6 mm réduit la place occupée sur la carte.
Fabricant : Toshiba
Référence : TPH6R30ANL
