Rapidus donne le premier coup de pioche pour construire sa Fab 2 nm
Censée remettre le Japon dans la course aux semiconducteurs avancés, cette société, soutenue par le gouvernement et des grandes entreprises nipponnes, débute ce mois-ci la construction de son usine en technologie 2 nm.
Soutenue par le gouvernement japonais et huit grandes entreprises nippones (Toyota, NTT, Sony, NEC, SoftBank, Denso, Kioxia et MUFG Bank), la société Rapidus a organisé vendredi 1er septembre une cérémonie d’inauguration des travaux de son usine IIM-1 (Innovative Integration for Manufacturing) de tranches de silicium en technologie 2 nm, sur son site de Chitose (île d’Hokkaido, nord du Japon).
Créée il y a un an, la start-up japonaise est censée remettre le Japon dans la course aux semiconducteurs les plus avancés face aux géants du secteur que sont Samsung et TSMC, en mettant sur pied une vaste usine en technologie 2 nm qui nécessiterait un investissement de 7000 milliards de yens (plus de 40 milliards d’euros).
« Rapidus a célébré son premier anniversaire le 10 août et je voudrais exprimer ma sincère gratitude à vous tous ici pour votre soutien qui nous a permis d’organiser cette cérémonie d’inauguration des travaux en si peu de temps, a déclaré Atsuyoshi Koike, président de Rapidus, lors de la cérémonie qui s’est tenue en présence de Yasutoshi Nishimura, ministre de l’économie, des finances et de l’industrie du Japon. Mais ce n’est qu’une première étape car notre objectif est de construire cette usine en un temps record. »
L’ambitieux plan de Rapidus prévoit un démarrage de l’exploitation de la ligne de production pilote en avril 2025 et de la production de masse en 2027.
Rappelons que Rapidus a précédemment signé des accords de partenariat avec IBM et l’Imec, le pôle de recherche et d’innovation dans le domaine de la nanoélectronique et des technologies numériques de Louvain en Belgique, pour le développement de la technologie 2 nm.