Renesas améliore encore ses IGBT en silicium

Dédiés essentiellement à la mobilité électrique, les transistors IGBT en silicium de cinquième génération du Japonais se caractérisent par une réduction de 10% des pertes et de l’encombrement par rapport aux modèles actuels.

Renesas Electronics poursuit l’amélioration des performances de ses IGBT en silicium avec le lancement de la cinquième génération de ces composants. Ciblant les véhicules électriques, ces transistors de puissance baptisés AE5 seront produits en volume à partir du premier semestre 2023 sur les lignes de tranches de 200 et 300 mm de l’usine de Renesas située à Naka (Japon), avec une montée en puissance prévue à partir du premier semestre 2024 avec la mise à contribution du site de Kofu (Japon) qui travaillera uniquement à partir de tranches de 300 mm.

Les IGBT AE5 se distinguent des modèles de génération précédente (les AE4) par une réduction d’environ 10% des pertes et de l’encombrement, offrant, selon Renesas, un compromis optimal entre faibles pertes, compacité et robustesse. Qui plus est, ces IGBT améliorent de manière significative leur stabilité dans un mode de fonctionnement en parallèle en minimisant les variations de paramètres entre les IGBT.

Les quatre premiers produits de la gamme visent les onduleurs 400 V et 800 V des véhicules électriques avec des tenues en tension respectives de 750 V (sous 220 A et 300 A, selon les modèles) et 1200 V (sous 150 A et 200 A, selon les modèles). Les modèles 750 V/300 A sont d’ores et déjà échantillonnés.

Parmi les autres caractéristiques des IGBT AE5, notons une tension de saturation Vce réduite à 1,3 V pour limiter les pertes de puissance, un fonctionnement stable pour une température de jonction s’échelonnant entre -40°C et +175°C, ainsi qu’une réduction de 50% de la dépendance à la température de la résistance de grille (Rg) afin de minimiser les pertes de commutation à haute température, les pics de tension à basse température et la durée de tenue aux courts-circuits.