Renesas investit 700 M$ pour réhabiliter une fab à la production de semiconducteurs de puissance sur tranche de 300 mm

Renesas annonce un investissement de 90 milliards de yens, soit près de 700 millions de dollars, dans son usine de Kofu, au Japon, qui avait été fermée en octobre 2014. Renesas a l’intention de rouvrir l’usine en 2024 pour y fabriquer des semiconducteurs de puissance sur tranches de 300 mm de diamètre.

Renesas compte ainsi doubler sa capacité de production totale des semiconducteurs de puissance de Renesas dès que l’usine de Kofu atteindra sa production de masse.

Renesas anticipe notamment une croissance rapide de la demande de véhicules électriques (VE), et prévoit donc de renforcer sa capacité de production de semiconducteurs de puissance tels que des IGBT et des Mosfet de puissance.

L’usine Kofu de Renesas exploitait auparavant des lignes de fabrication de sur tranches de 150 mm et de 200 mm de diamètre. Pour augmenter sa capacité de production, Renesas a décidé d’utiliser un bâtiment restant de l’usine et de le réhabiliter en tant que fab 300 mm dédiée aux semiconducteurs de puissance avec 18 000 mètres carrés de salle banche.

« Cet investissement nous permet de disposer de notre plus grande ligne de traitement de tranches dédiée aux semiconducteurs de puissance, qui sont essentiels pour réaliser la décarbonation. Nous continuerons à effectuer les investissements nécessaires pour améliorer notre capacité de production interne tout en renforçant nos liens avec nos partenaires externes. Pour faire face à la croissance de la demande à moyen et long terme, Renesas reste déterminé à assurer la sécurité de l’approvisionnement afin de fournir à nos clients le meilleur soutien possible », souligne Hidetoshi Shibata, président et CEO de Renesas.

Compte-tenu de la stratégie du ministère japonais de l’Économie, du Commerce et de l’Industrie pour les semiconducteurs, Renesas prévoit de réaliser son investissement au cours de l’année 2022, tout en se coordonnant étroitement avec le ministère.