Samsung et Broadcom nouent un partenariat à plus de 200 Md$
L’accord couvre la mémoire HBM et les technologies de fonderie en 2 nanomètres pour équiper les futurs accélérateurs d’IA de Broadcom, d’ici 2030.
Samsung Electronics et Broadcom ont annoncé la signature d’un protocole d’accord visant à étendre leur collaboration dans les technologies de mémoires et de fonderie, afin de soutenir la prochaine génération d’infrastructures d’IA. L’annonce a été faite fin juillet lors du Sommet sur l’IA organisé à The Midway, à San Francisco, en présence de Jinman Han, président et directeur de la division Fonderie de Samsung Electronics, de Hock Tan, Pdg de Broadcom, ainsi que de hauts dirigeants des deux entreprises et de représentants du gouvernement coréen. Les deux groupes estiment que cette collaboration représentera plus de 200 milliards de dollars dans les secteurs de la mémoire et de la fonderie d’ici 2030.
Dans le domaine de la mémoire, Samsung et Broadcom prévoient de poursuivre leur collaboration sur la fourniture de solutions avancées, notamment la mémoire à large bande passante (HBM), destinée aux futurs accélérateurs d’IA de Broadcom. Côté fonderie, le partenariat porte sur les technologies de gravure en 2 nanomètres et en dessous développées par Samsung pour les produits de Broadcom, dont ses solutions de communication haut débit sans fil (WBC, Wireless Broadband Communications). Cette collaboration devrait aussi s’étendre aux technologies d’encapsulation avancées basées sur ce procédé 2 nm, incluant l’intégration 2.3D et 2.5D, afin de concevoir des puces d’IA et de réseau plus performantes et plus économes en énergie.
« L’IA génère une demande sans précédent pour les technologies de semi-conducteurs hautement intégrées, notamment la mémoire, la logique et le conditionnement avancé. En renforçant notre collaboration avec Broadcom sur ces technologies essentielles, nous sommes impatients d’offrir une plus grande valeur ajoutée à nos clients tout en faisant progresser l’infrastructure d’IA de demain », a indiqué Young Hyun Jun, vice-président et directeur général de la division Device Solutions de Samsung Electronics.
De son côté, Charlie Kawwas, président du Semiconductor Solutions Group de Broadcom, a souligné qu’« à mesure que l’infrastructure d’IA se développe, une collaboration étroite au sein de l’écosystème des semi-conducteurs devient primordiale », précisant qu’« en associant l’expertise de Samsung en matière de mémoire et de fonderie au leadership de Broadcom dans le domaine de l’IA et de la connectivité, nous ambitionnons de continuer à fournir des technologies qui alimentent la prochaine génération d’infrastructures d’IA ».
