SK hynix lance le chantier de sa première usine de mémoires HBM aux États-Unis
Fruit d’un investissement de plus de 4 milliards de dollars, ce site implanté dans l’Indiana abritera la première usine de conditionnement avancé de mémoires à large bande passante (HBM) du Coréen aux Etats-Unis, ainsi qu’un centre de R&D et de test associé. La production de volume devrait y débuter au second semestre 2029.
SK hynix a organisé le 27 août dernier une cérémonie pour marquer le lancement officiel du chantier de sa nouvelle usine de conditionnement avancé de mémoires à large bande passante (HBM) destinée à l’IA, au gymnase Holloway de l’université Purdue, à West Lafayette, dans l’Indiana. L’événement s’est déroulé en présence de personnalités politiques et gouvernementales américaines et coréennes, ainsi que des dirigeants du groupe SK et du Pdg de SK hynix, Kwak Noh-Jung.
© SK hynix
L’usine, dont l’investissement total dépasse 4 milliards de dollars, doit ouvrir sa salle blanche d’ici octobre 2028 et lancer la production en série de mémoires HBM de nouvelle génération au second semestre 2029, avec environ 1000 emplois prévus une fois les opérations commerciales lancées. Il s’agit de la première implantation de SK hynix pour la production de mémoires HBM aux États-Unis, dans un fonctionnement étroitement lié à la production sud-coréenne : les wafers fabriqués en Corée du Sud seront acheminés vers l’Indiana pour y subir tests et conditionnement avancé avant livraison des mémoires HBM aux clients américains. Cet événement intervient après que SK hynix ait annoncé cet été un nouvel investissement en Corée du Sud en vue de construire deux nouvelles usines à Yongin et à Cheongju, afin de répondre à la demande croissante de mémoires portée par l’IA.
Par ailleurs, un centre de R&D et de test sera également construit à proximité des lignes de production de l’usine de West Lafayette, permettant aux clients, universités et partenaires de développer conjointement de nouvelles technologies de conditionnement.
Cette implantation doit contribuer à stabiliser la chaîne d’approvisionnement américaine en semi-conducteurs et à renforcer la sécurité nationale et l’économie du pays à l’ère de l’IA, un investissement rendu possible grâce au Chips and Science Act. Plus de 100 entreprises sont pressenties pour fournir matériaux, composants et équipements à l’usine, et SK hynix prévoit la création d’environ 7000 emplois directs et indirects, entre la phase de construction et l’exploitation commerciale.
« Aujourd’hui marque le début d’une nouvelle ère pour l’IA entre les États-Unis et SK hynix, a déclaré Kwak Noh-Jung, Pdg de SK hynix, lors de la cérémonie de pause de la première pierre. Les États-Unis sont l’épicentre de l’innovation en IA, réunissant des clients de premier plan, des capacités de R&D de pointe et des partenaires. Notre usine dans l’Indiana deviendra une plateforme pour la production des premiers produits HBM fabriqués aux États-Unis. Nous allons développer nos investissements et notre collaboration aux États-Unis, grandir ensemble et devenir le partenaire de confiance pour façonner l’avenir de l’IA en Amérique. »
Lors de la cérémonie, SK hynix a également signé un protocole d’entente avec l’université Purdue pour une collaboration en R&D sur l’intégration de systèmes et les technologies d’encapsulation avancées, dont la HBM, tout en intensifiant ses efforts de formation et de recrutement de talents dans le Midwest. Enfin, en hommage aux liens historiques entre l’Indiana et la Corée (cet État a déployé environ 140 000 soldats pendant la guerre de Corée), le groupe SK s’est également engagé à offrir des perspectives d’emploi aux anciens combattants des Forces américaines en Corée (USFK), en rejoignant la plateforme de recrutement dédiée gérée par la Chambre de commerce et d’industrie de Corée et la Fondation de l’Alliance Corée-États-Unis.
La future usine de SK hynix dans l’Indiana devrait ouvrir sa salle blanche d’ici octobre 2028 et lancer la production en série de mémoires HBM de nouvelle génération au second semestre 2029 – © SK hynix
