ST abrite Tower Semiconductor dans sa future usine 300 mm de composants analogiques et de puissance en Italie
STMicroelectronics accueillera le fondeur de semiconducteurs analogiques Tower Semiconductor dans son usine de 300 mm R3 d’Agrate actuellement en cours de construction en Italie. ST partagera la salle blanche de l’usine R3 où Tower installera ses propres équipements sur un tiers de l’espace total. Il est prévu que l’usine sera prête pour l’installation des équipements plus tard cette année et de démarrer la production au second semestre 2022.
ST et le fondeur israélien uniront leurs forces pour accélérer la montée en puissance de l’usine, un facteur clé pour atteindre un niveau élevé d’utilisation des capacités de production et par conséquent, un coût compétitif par tranche.
ST et Tower partageront la surface de la salle blanche et l’infrastructure de l’usine. Les deux sociétés investiront dans leurs équipements de process respectifs et collaboreront en vue d’accélérer la qualification de l’usine et ensuite sa montée en puissance. Les opérations continueront d’être gérées par ST, avec certains membres du personnel de Tower détachés auprès de ST pour des postes spécifiques afin de soutenir la qualification de l’usine et la montée de la production en volume, ainsi que d’autres postes en ingénierie et process. Au cours de la première phase, les procédés en 130, 90 et 65 nm pour les technologies de puissance intelligente, analogiques et signal mixte, ainsi que RF, seront qualifiées dans l’usine R3. Les produits réalisés dans ces technologies seront notamment utilisés dans les applications automobiles, industrielles et d’électronique personnelle.
« Le paramètre clé pour la performance industrielle et économique d’une usine est son utilisation. Tower est un excellent partenaire pour la production en volume de circuits analogiques, de circuits de puissance et signal mixte qui nous permettra de qualifier et de monter en puissance significativement plus rapidement l’usine 300 mm R3 à Agrate. Ceci permettra une utilisation optimale de l’usine pratiquement dès le début de la production. La capacité de production de l’usine, une fois entièrement équipée, pourrait même être supérieure à la capacité initialement estimée en 2018, lorsque nous avons démarré le projet », a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics. « Les produits fabriqués dans l’usine R3 d’Agrate soutiendront les marchés de l’automobile, de l’industriel et de l’électronique personnelle. Ils contribueront à atténuer les tensions à moyen et à long termes en matière d’approvisionnement pour une large gamme d’applications », ajoute le dirigeant.
L’accord permet à Tower de tripler sa capacité de fonderie sur tranches de 300 mm
« Les solides capacités d’exécution de Tower dans les solutions RF analogiques, les plateformes de puissance, les afficheurs et autres technologies avancées réalisées sur des tranches de 300 mm en géométrie 65 nm seront renforcées de manière significative par cette activité à Agrate, en faisant plus que tripler la capacité de fonderie de Tower en 300 mm, pour mieux répondre à la demande croissante de nos clients sur ces marchés en rapide expansion », souligne pour sa part, Russell Ellwanger, CEO de Tower.
Le fondeur israélien ne divulgue pas le montant des investissements qu’il consacrera à l’usine d’Agrate, affirmant qu’il fournira des détails au fur et à mesure des avancées du projet.
Tower Semiconductor est un fondeur de semiconducteurs analogiques. Ses plateformes de fabrication personnalisables englobent les technologies silicium-germanium (SiGe), BiCMOS, CMOS/signal mixte et RF CMOS, les capteurs d’images CMOS, les capteurs hors imagerie, la gestion de l’alimentation intégrée (BCD et 700 V) et les mems. Tower Semiconductor exploite deux sites de fabrication en Israël (150 et 200 mm), deux aux États-Unis (200 mm) et trois au Japon (deux en 200 mm et un en 300 mm) à travers TPSCo, une société commune avec Panasonic créée en 2014.
