Le tribunal de Munich vient de condamner Innoscience pour contrefaçon de brevets GaN d’Infineon, lui interdisant toute vente des produits incriminés en Allemagne. Un nouveau revers pour le fabricant chinois dans une série de défaites judiciaires des deux côtés de l’Atlantique.
Avec 5 milliards d’euros investis et 1000 emplois créés, la nouvelle Smart Power Fab d’Infineon double les capacités de production du fabricant allemand à Dresde et cible les centres de données IA, les véhicules autonomes et les énergies renouvelables.
Infineon remporte deux nouvelles victoires judiciaires contre Innoscience en Allemagne dans le domaine du GaN. Un tribunal munichois interdit la commercialisation de certains produits incriminés et condamne l’entreprise chinoise à verser des dommages et intérêts. Mais parallèlement, Innoscience remporte lui aussi une victoire en Chine.
Adaptés aux réseaux à courant continu, les disjoncteurs à semi-conducteurs offrent une protection et une disponibilité accrues des systèmes dans des applications telles que la production industrielle fortement automatisée, les centres de données d’IA, et les systèmes de stockage d’énergie par batteries, où la continuité de service est essentielle.
L’Allemand lance le premier module de puissance en carbure de silicium capable de fonctionner jusqu’à 205°C. De quoi augmenter jusqu’à 15% le courant de sortie des onduleurs tout en réduisant les contraintes de refroidissement et les coûts système.
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