Selon le cabinet d’étude Yole, après une vague d’investissements sans précédent entre 2019 et 2024, le secteur des semiconducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) entre dans une phase de correction qui pourrait durer jusqu’en 2027-2028, tandis que la Chine fait tout pour rattraper son retard en matière de capacités de production.
L’horizon s’éclaircit en cette fin d’année pour le spécialiste américain du carbure de silicium : il vient de recevoir 698,6 millions de dollars de crédit d’impôts pour accompagner le développement de sa production de puces SiC sur tranches de 200 mm et vient de remporter un contrat avec Toyota pour la fourniture de Mosfet SiC.
La plateforme SiC 300 mm de l’Américain entend répondre aux enjeux d’efficacité thermique des centres de données d’IA et réduire les coûts des puces de puissance pour les véhicules électriques, les énergies renouvelables et l’automatisation industrielle, entre autres.
Implantée en République tchèque, la future usine européenne de l’Américain sera la première du continent à couvrir l’ensemble des étapes de fabrication des semiconducteurs de puissance SiC, depuis la croissance des cristaux de SiC jusqu’à la production des circuits SiC encapsulés.
Le spécialiste américain du SiC renforce son équipe de direction avec le recrutement de Matthias Buchner, expert reconnu des semiconducteurs de puissance qui faisait partie de l’équipe de direction d’Infineon. Cette nomination intervient alors que Wolfspeed rationalise son empreinte industrielle en confirmant, entre autres, l’abandon de son projet d’usine en Allemagne.
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