Le cabinet d’études estime que la croissance du marché des semiconducteurs de puissance en technologie SiC, étroitement lié à celui du véhicule électrique, va reprendre de plus bel en 2026, une fois passé le coup de frein de 2024 et 2025.
L’Américain a déboursé 115 millions de dollars pour s’offrir l’activité transistors FET à jonction (JFET) en carbure de silicium de son compatriote, incluant United Silicon Carbide (UnitedSiC), une société que Qorvo avait rachetée en 2021.
Alors que les solutions à base de carbure de silicium (SiC) se déploient dans les véhicules électriques, le Japonais et le Taïwanais estiment que l’électronique de puissance en base de nitrure de gallium (GaN) aura aussi sa place dans l’automobile.
L’équipementier automobile Valeo et le Japonais Rohm Semiconductor s’associent pour proposer et optimiser une prochaine génération de modules de puissance pour les onduleurs de moteur électrique en combinant leurs expertises en matière de gestion de l’électronique de puissance. Dans un premier temps Rohm fournira à Valeo son module de puissance 2-en-1 en carbure de silicium (SiC) TRCDRIVE pack pour ses futures solutions de propulsion.
CEO du spécialiste américain depuis 2017, Gregg Lowe va quitter ses fonctions ce mois-ci. Il sera remplacé par Thomas Werner, actuel président du Conseil d’administration du groupe, le temps qu’un nouveau CEO soit nommé.
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