Depuis 2021, l’Américain s’est lancé dans un plan d’investissements massif de plus de 60 Md$ pour construire sept nouvelles usines en tranches de 300 mm aux Etats-Unis. Aujourd’hui, trois sont en service ou sur le point de l’être, deux sont en cours de construction et deux sont encore au stade de projet.
Texas Instruments a développé les premiers pilotes de grille pour transistors à effet de champ (FET) en nitrure de gallium (GaN) durcis aux radiations et capables de fonctionner jusqu’à 200 V.
Avec ce nouveau centre de distribution ultra moderne situé près de Francfort, l’Américain ambitionne de livrer ses clients européens en seulement 24 heures.
Exploitant des tranches de 200 mm de diamètre, l’usine de TI située à Aizu, au Japon, est désormais la seconde usine du groupe à produire des puces GaN, avec celle de Dallas. L’usine japonaise pourra par ailleurs passer aisément au procédé 300 mm, selon l’Américain.
L’Américain a récemment dévoilé six nouveaux modules de puissance, les premiers de TI à bénéficier de sa technologie de boîtier magnétique intégré MagPack, censée améliorer significativement la densité de puissance de ces modules et réduire leur rayonnement électromagnétique.
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