Hébergés dans un boîtier innovant de taille réduite, les derniers Mosfet canal N de 40 V du Japonais présentent une résistance à l’état passant réduite de 11% par rapport aux modèles précédents et délivrent un courant jusqu’à 200 A en continu.
Toshiba Electronics complète sa gamme Thermoflagger de circuits intégrés de détection de surchauffe, avec six nouveaux modèles qui viennent s’ajouter aux deux déjà existant. Pouvant être associés en série à plusieurs thermistances à coefficient de température positif (PTC), ils permettent de détecter les surchauffes en de multiples endroits dans les systèmes électroniques. Les nouveaux modèles présentent un courant de sortie PTCO de 1 µA, au lieu de 10 µA pour les modèles précédents.
Dans l’air depuis près de deux ans et demi, le rachat de Toshiba se concrétise aujourd’hui avec le succès de l’offre publique d’achat réalisée par le consortium Japan Industrial Partners (JIP).
Le module 2200 V à double Mosfet SiC signé Toshiba permet de troquer les onduleurs à trois niveaux à base d’IGBT contre des topologies à deux niveaux plus compactes et plus légères dans le photovoltaïque, l’automobile et le stockage d’énergie.
Disposant d’une connexion Kelvin, les boîtiers TO-247-4L(X) à quatre broches dans lesquels sont logés les derniers Mosfet SiC 650 V et 1200 V du Japonais permettent de réduire les pertes par rapport aux versions en boîtier standard à trois broches.
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