Destinés aux applications spatiales, les transistors GaN 100 V référencés EPC7018 présentent une résistance drain-source à l’état passant de 3,9 mΩ maximum, soit la plus faible valeur Rds(on) du marché pour un FET 100 V durci.
Œuvre de l’Américain Efficient Power Conversion, le FET 100 V en technologie GaN référencé EPC2071 se caractérise par une résistance à l’état passant de 2 mΩ, une fréquence de commutation de 1 MHz et un encombrement d’à peine plus de 10 millimètres carrés.
Les derniers nés des Mosfet et diodes en SiC de la gamme CoolSic de l’Allemand simplifient la réalisation de solutions à haute densité de puissance dans les applications fonctionnant à 1500 Vdc.
L’EPC2050 occupe une surface sur le circuit imprimé réduite d’un facteur 10 par rapport à son équivalent de même puissance en silicium, pour un prix inférieur, selon l’Américain.
Le GNE1040TB est le premier transistor à haute mobilité électronique (HEMT) 150 V en GaN du Japonais affichant une tension de claquage de grille de 8 V au lieu 6 V habituellement, avec pour objectif de fiabiliser les transistors de puissance en GaN.
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