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EPC abaisse la résistance à l’état passant de ses FET 100 V durcis en GaN

EPC abaisse la résistance à l’état passant de ses FET 100 V durcis en GaN

Destinés aux applications spatiales, les transistors GaN 100 V référencés EPC7018 présentent une résistance drain-source à l’état passant de 3,9 mΩ maximum, soit la plus faible valeur Rds(on) du marché pour un FET 100 V durci.

La société californienne Efficient Power Conversion (EPC) élargit son offre en transistors GaN (nitrure de gallium) durcis pour environnement spatial avec un modèle de 100 V référencé EPC7018 et présenté comme le FET durci offrant la plus faible résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) du marché, à savoir 2,7 mΩ en valeur typique et 3,9 mΩ en valeur maximale.

Fonctionnant jusqu’à 90 A en continu et 345 A en mode impulsionnel, ce composant qui présente une empreinte de 6,05 x 2,3 mm sur le circuit imprimé, est capable de résister à une dose d’ionisation totale (TID) absorbée supérieure à 1 Mrad et de supporter les effets d’une particule isolée (SEE, Single Event Effects) avec un transfert d’énergie linéaire (LET, Linear Energy Transfer) maximum de 85 MeV/mg/cm2. La plage de température de fonctionnement de l’EPC7018 s’étend de -55°C à +150°C.

Par rapport au silicium, la technologie GaN permet d’obtenir des fréquences de commutation, des densités de puissance et des rendements plus élevés, avec des circuits plus compacts et plus légers pour les missions spatiales critiques, le GaN prenant également en charge des niveaux de TID et de SEE plus élevés que leurs équivalents en silicium.

Les applications bénéficiant des performances et du déploiement rapide de l’EPC7018 comprennent les alimentations DC-DC, les systèmes d’entraînements, les lidars, les sondes et les propulseurs pour les applications spatiales, les satellites et l’avionique.

L’EPC7018 est actuellement en cours d’échantillonnage et sera entièrement qualifié pour la production de volume en décembre 2022.

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