Texas Instruments quadruple sa capacité de production en puces GaN
Exploitant des tranches de 200 mm de diamètre, l’usine de TI située à Aizu, au Japon, est désormais la seconde usine du groupe à produire des puces GaN, avec celle de Dallas. L’usine japonaise pourra par ailleurs passer aisément au procédé 300 mm, selon l’Américain.
Texas Instruments (TI) vient de débuter la production de semiconducteurs de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) dans son usine d’Aizu, au Japon, censée exploiter la technologie de fabrication GaN la plus avancée disponible aujourd’hui. Aizu est désormais la seconde usine du groupe à produire des tranches de GaN, avec celle de Dallas, au Texas. Ce faisant, TI pourra fabriquer en interne jusqu’à quatre fois plus de composants GaN qu’actuellement, quand l’usine japonaise atteindra sa pleine capacité.
« S’appuyant sur plus d’une décennie d’expertise dans la conception et la fabrication de puces GaN, nous avons réussi à qualifier notre technologie GaN en tranches de 200 mm – la façon la plus évolutive et la plus compétitive de fabriquer du GaN à ce jour – pour lancer la production de masse à Aizu, se félicite Mohammad Yunus, vice-président senior de TI chargé de la technologie et de la fabrication. Il s’agit d’une étape importante de notre stratégie d’augmenter notre capacité de production de puces GaN en interne pour la porter à plus de 95% de nos besoins d’ici 2030, et cela à partir de plusieurs sites TI, ce qui garantit un approvisionnement fiable de l’ensemble de notre portefeuille de produits GaN à haute puissance et à faible consommation d’énergie. »
© Texas Instruments (TI)
TI revendique « le plus large portefeuille de produits GaN, allant de la basse à la haute tension, afin de permettre l’électronique la plus économe en énergie, la plus fiable et la plus dense en puissance ». Outre les avantages traditionnels du GaN (efficacité énergétique et vitesse de commutation améliorées, densité de puissance accrue, miniaturisation plus poussée), l’Américain met également en avant la fiabilité de son procédé de fabrication GaN sur silicium qui présente plus de 80 millions d’heures de tests de fiabilité et permet d’intégrer des fonctions de protection pour des puces GaN conçues pour assurer la sécurité des systèmes à haute tension.
TI estime ainsi que ses puces GaN peuvent s’adapter à des tensions jusqu’à 900 V, voire davantage, dans les prochaines années, de manière à étendre l’utilisation du GaN à des applications telles que la robotique, les énergies renouvelables et les alimentations de serveurs, en plus des débouchés traditionnels (adaptateurs pour ordinateurs portables et smartphones, moteurs électriques pour systèmes de chauffage et de climatisation, appareils électroménagers).
La société annonce également avoir mis en place en début d’année un projet pilote concernant le développement d’un procédé de fabrication de composants GaN à partir de tranches de 300 mm de diamètre, procédé qui serait entièrement transférable à ses lignes de production actuelles de Dallas et d’Aizu et permettrait ainsi à TI de passer aisément à la production de volume à partir de tranches de 300 mm à l’avenir, afin de s’adapter à la demande.
Rappelons qu’Infineon Technologies a fabriqué le mois dernier ses premières tranches GaN en diamètre 300 mm sur une ligne pilote intégrée dans son usine autrichienne de Villach qui produit des tranches de silicium de 300 mm et des wafers de GaN de 200 mm.
