Toshiba réduit les pertes de ses Mosfet de puissance canal N 150 V
Ces Mosfet voient leur résistance drain-source à l’état passant abaissée de plus de 40% par rapport à la génération précédente.
Toshiba poursuit sa quête de réduction des pertes et des pics de tension dans ses Mosfet de puissance avec la commercialisation du TPH9R00CQH, un Mosfet de puissance canal N 150 V exploitant le tout dernier procédé de fabrication du Japonais baptisé U-MOSX-H. Ce faisant, ce Mosfet voit ses pertes de commutation réduite de manière drastique du fait d’une faible résistance drain-source à l’état passant abaissée à seulement 9 mΩ pour une tension VGS de 10V. C’est environ 42% de moins que le Mosfet 150 V de Toshiba référencé TPH1500CNH qui est basé sur le procédé U-MOSVIII-H actuel.
Ce nouveau Mosfet réduit les pics de tension entre le drain et la source lors de la commutation, améliorant ainsi les performances EMI des alimentations à découpage utilisées dans les équipements industriels, les stations de base et les centres de données.
Toshiba met également en avant une optimisation de la structure de son Mosfet qui a permis d’améliorer ses caractéristiques de charge, notamment avec une charge de grille totale (Qg) de seulement 44 nC et une charge de commutation de grille (Qsw) de 11,7 nC, dont pourront bénéficier les applications à haute fréquence.
Disponible dès aujourd’hui, le TPH9R00CQH se décline en deux versions de boîtier CMS : SOP Advance (5 x 6 mm) et SOP Advance(N) (4,9 x 6,1 mm).
