Toshiba abaisse la résistance à l’état passant de ses Mosfet silicium 600 V
Les derniers Mosfet canal N 650 V du Japonais voient leur résistance drain-source à l’état passant...
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Posté par Pascal Coutance | 30 Juin 2023 | COMPOSANT, INDUSTRIEL/ÉNERGIE, INFORMATIQUE/DATA, SEMICONDUCTEUR, TECHNO, TÉLÉCOMS/RÉSEAUX
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En savoir plusPosté par Frédéric Fassot | 29 Juin 2023 | - ÉCO -, CONJONCTURE, MARCHÉ, SEMICONDUCTEUR
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