MOSFET de puissance superjonction 650 V | Toshiba
Toshiba Electronics Europe a annoncé cinq MOSFET de puissance superjonction 650V faisant appel au nouveau boîtier CMS compact au format TO-leadless (TOLL), qui permet de réduire la taille des équipements finaux et d’améliorer l’efficacité de connexion à la source Kelvin.
Mesurant seulement 9,9 x 11,68 x 2,3 mm (l x L x H), les MOSFET TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z et TK190U65Z présentent une empreinte réduite de 27% par rapport à un boîtier D2PAK classique.
Les applications typiques sont notamment les alimentations de serveurs de centres de données, les conditionneurs photovoltaïques, les systèmes d’alimentation sans coupure (UPS) et autres applications industrielles.
La gamme a été étendue aux produits de la série DTMOS VI à faible résistance à l’état passant, qui descendent jusqu’à 65 mΩ. En outre, ce boîtier à 4 broches intègre une source Kelvin. Cette caractéristique réduit l’inductance parasite du fil source dans le boîtier et permet une commutation plus performante en supprimant les oscillations. Par rapport au TK090N65Z, un dispositif de tension et de résistance à l’état passant équivalentes utilisant un boîtier TO-247 sans connexion Kelvin, le TK090U65Z présente une perte de commutation à l’allumage réduite de 68%, et une perte de commutation à l’extinction réduite de 56%.
Le déploiement de la dernière génération de MOSFET de puissance superjonction DTMOS VI 650 V en boîtier TOLL va permettre aux concepteurs de réduire la taille de leurs équipements finaux et d’en améliorer le rendement. Les MOSFET DTMOS VI visent le meilleur rendement de commutation de la catégorie, selon le facteur de mérite (FOM) : Rds(on) x Qdg.
Fabricant : Toshiba
Référence : TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z et TK190U65Z
