Circuits de puissance GaN-on-Si : Innoscience ouvre un centre européen de R&D à Louvain

Le Chinois Innoscience Technology, entreprise fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance GaN-on-Si (nitrure de gallium sur silicium) à hautes performances et à faible coût, étend sa présence en Europe avec l’ouverture d’un centre de R&D à Louvain, en Belgique.

La nouvelle activité de R&D d’Innoscience est située à Louvain, à proximité de l’IMEC – centre d’excellence très réputé en technologie avancée de semi-conducteurs – et de l’Université Catholique de Louvain (KU Leuwen) réputée pour ses activités en électronique de puissance. La nouvelle équipe de R&D d’Innoscience rejoint ainsi la « GaN Valley » belge.

La nouvelle activité de R&D sur les dispositifs de puissance GaN en Belgique est dirigée par Jan Šonský, qui a rejoint Innoscience en tant que vice-président R&D. Il dirigera le développement des technologies de nouvelle génération en étroite collaboration avec l’équipe de R&D de la société, au siège d’Innoscience.

Jan Šonský a obtenu son doctorat à l’université de technologie de Delft, aux Pays-Bas, et possède 20 ans d’expérience en R&D dans l’industrie des semiconducteurs. Auparavant, il a contribué au développement des technologies GaN et Si pour les applications mobiles et automobiles, dans une autre entreprise leader des semiconducteurs, en réalisant plusieurs percées technologiques. Il a été président général de la conférence ISPSD et, comme preuve de ses réalisations, a été élu au Hall of Fame de l’ISPSD en 2021.

Ce centre de R&D en Europe doit jouer un rôle important dans l’amélioration de la technologie et des produits GaN d’Innoscience, tant en termes de performance que de fiabilité, afin d’aider l’entreprise à rester à la pointe de l’innovation technologique en matière de GaN.

« Nous souhaitons la bienvenue à Jan chez Innoscience, et nous sommes impatients de bénéficier de ce qu’il réalisera avec son équipe. Nos dispositifs offrent déjà d’excellentes performances, tant en basse tension (30 V à 150 V) qu’en haute tension (650 V). Nous attendons de notre nouveau centre de R&D qu’il nous permette d’atteindre des performances encore meilleures, de réduire la taille des dispositifs, et d’en renforcer la fiabilité », a déclaré Denis Marcon, directeur général d’Innoscience Europe.

« Innoscience est engagé à 100% en faveur du nitrure de gallium. Je vois une formidable opportunité de piloter notre technologie de nouvelle génération, en permettant aux concepteurs d’électronique de puissance du monde entier, et sur différents marchés, de profiter des hautes performances qu’apporte l’InnoGaN pour révolutionner les applications de puissance », a ajouté Jan Šonský.

Innoscience est un fabricant de composants GaN sur silicium fondé en décembre 2015 avec comme principaux investisseurs : CMBI, ARM, SK et CATL. En novembre 2017, Innoscience a établi une première ligne de production en grande série de tranches 200 mm pour dispositifs GaN-on-Si à Zhuhai. Afin de répondre à la demande croissante du marché, Innoscience a inauguré une nouvelle installation à Suzhou en septembre 2020. Les plus de 1400 employés et plus de 300 experts en R&D d’Innoscience se consacrent à la fourniture de dispositifs de puissance GaN, qui peuvent être largement utilisés dans différentes applications, notamment l’informatique cloud, les véhicules électriques (VE) et l’automobile en général, les appareils portables, les téléphones, ainsi que les chargeurs et adaptateurs.