Les transistors GaN de ST grimpent à 700 V
Avec ses nouveaux transistors 700 V de la gamme PowerGaN, STMicroelectronics cible les serveurs d’IA, la robotique et les applications industrielles exigeantes. Le GaN s’immisce ainsi progressivement dans les applications de moyenne et haute puissance.
STMicroelectronics enrichit sa gamme de transistors en nitrure de gallium PowerGaN avec sept nouveaux modèles fonctionnant à 700 V, destinés aux applications nécessitant des performances élevées en conversion d’énergie. Ces composants entendent répondre aux besoins croissants en efficacité énergétique des serveurs d’IA, de la robotique, des infrastructures industrielles et des équipements grand public avancés.
© STMicroelectronics
La nouvelle série comprend sept transistors à haute mobilité électronique (HEMT) couvrant des courants continus de 6 A à 29 A, avec des résistances drain-source à l’état passant comprises entre 53 mΩ et 270 mΩ. Leur faible charge de grille et leurs capacités parasites réduites leur confèrent un facteur de mérite nettement supérieur à celui des composants silicium conventionnels.
Les composants sont proposés dans plusieurs boîtiers industriels standardisés (DPAK, TO-LL et PowerFLAT) facilitant leur intégration dans les outils de conception électronique existants. Les boîtiers TO-LL et PowerFLAT intègrent en outre une connexion Kelvin destinée à améliorer l’immunité au bruit et la fiabilité des circuits de commande.
« L’élargissement de notre gamme PowerGaN avec de nouveaux dispositifs 700 V étend les avantages de la technologie au nitrure de gallium aux applications de moyenne et haute puissance », indique Mario Aleo, vice-président exécutif du groupe Power & Discrete de STMicroelectronics.
Déjà en production, les nouveaux transistors PowerGaN 700 V sont commercialisés à des prix compris entre 0,63 et 2,25 dollars l’unité pour des commandes de 1000 pièces.
Principales caractéristiques :
- Technologie au nitrure de gallium (GaN) de nouvelle génération
- Tension nominale de fonctionnement de 700 V
- Sept transistors HEMT couvrant des courants de 6 A à 29 A
- Résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) de 53 mΩ à 270 mΩ
- Très faibles pertes de conduction et de commutation
- Absence de charge de récupération inverse
- Fonctionnement à haute fréquence permettant des alimentations plus compactes
- Densité de puissance accrue et réduction de la taille des systèmes
- Boîtiers DPAK, TO-LL et PowerFLAT compatibles avec les outils de CAO standards
- Connexion Kelvin sur les boîtiers TO-LL et PowerFLAT pour améliorer l’immunité au bruit et la fiabilité
