Weebit Nano et le CEA Leti qualifient les mémoires ReRAM pour l’automobile
L’Israélien, qui dispose d’une filiale à Grenoble, a qualifié ses mémoires ReRam très basse consommation, réalisées par son partenaire de R&D, jusqu’à une température de +125°C spécifiée pour les mémoires non volatiles de qualité automobile.
Weebit Nano, une société israélienne spécialisée dans les mémoires ReRam (Resistive Ram) très basse consommation et qui dispose d’une filiale implantée à Grenoble, a qualifié ses mémoires ReRam jusqu’à une température de +125°C spécifiée pour les mémoires non volatiles de qualité automobile.
Utilisant des puces de démonstration Weebit fabriquées par son partenaire de R&D, le CEA Leti, la qualification a été réalisée sur la base des normes industrielles JEDEC pour les mémoires non volatiles, normes qui imposent des tests rigoureux sur de nombreux circuits choisis à l’aveugle parmi trois lots distincts de tranches.
© Weebit Nano
Toutes les puces Weebit testées, qui, rappelons-le, sont conçues et qualifiées pour le procédé 130 nm du fondeur américain SkyWater, ont passé avec succès l’ensemble des tests de qualification à +125°C, démontrant ainsi la qualité et la répétabilité de l’IP ReRAM intégrée de Weebit pour les applications nécessitant une fiabilité à haute température, que ce soit dans l’automobile, l’industrie ou l’IoT.
« Ces résultats nous confortent dans l’idée que nos ReRAM constituent un meilleur choix pour les applications automobiles et industrielles par rapport aux autres technologies émergentes de mémoires non volatiles, non seulement en raison de leurs performances à haute température, mais également de leur faible complexité, de leur rentabilité et de leur tolérance aux rayonnements et aux interférences électromagnétiques », assure Coby Hanoch, Pdg de Weebit Nano. Un constat appuyé par Simone Bertolazzi, analyste spécialiste des mémoires chez Yole Intelligence : « La ReRAM intégrée est une candidate prometteuse pour les applications automobiles, grâce à de meilleures performances que les mémoires flash, telles que le temps de programmation, l’endurance et la consommation d’énergie. »
Le démonstrateur ReRAM de Weebit Nano utilisé pour le test comprend le module ReRAM proprement dit, un microcontrôleur RISC-V, des interfaces système, des mémoires et des périphériques. Réalisé par le CEA Leti, le module ReRAM en lui même comprend une matrice ReRAM de 128 kbit, une logique de contrôle, des décodeurs, des entrées/sorties, et un code de correction d’erreurs (ECC). Ce module est conçu à partir de circuits analogiques et numériques uniques en instance de brevet, exécutant des algorithmes intelligents qui améliorent considérablement les paramètres techniques de la matrice de mémoire, selon l’Israélien.
