GF acquiert une licence pour exploiter la technologie GaN de TSMC
GlobalFoundries va qualifier la technologie GaN 650 V et 80 V sous licence dans son usine de Burlington, dans le Vermont, afin d’accélérer le développement de sa prochaine génération de solutions GaN pour les centres de données, l’industrie et l’automobile.
GlobalFoundries (GF) vient de signer un accord de licence technologique avec TSMC portant sur l’exploitation par GF de la technologie de nitrure de gallium (GaN) 650 V et 80 V du fondeur taïwanais. Cette initiative présentée comme stratégique permettra à GF d’accélérer le développement de sa prochaine génération de solutions GaN destinées aux véhicules électriques, aux centres de données, aux systèmes d’énergies renouvelables et à l’électronique de charge rapide, et de fournir une capacité de production de semiconducteurs GaN aux États-Unis à une clientèle mondiale.
© GlobalFoundries
GF qualifiera la technologie GaN sous licence dans son usine de Burlington, dans le Vermont (Etats-Unis), en tirant parti de l’expertise du site en matière de GaN sur silicium haute tension. Le développement est prévu pour début 2026, avec l’objectif de démarrer la production plus tard dans l’année.
A noter que GF a récemment signé un accord avec Cambridge GaN Devices (CGD) pour produire les composants ICeGaN de la jeune entreprise britannique. Depuis sa création en 2016, cette société fabless issue de l’Université de Cambridge et spécialisée dans les circuits de puissance à base de GaN, tente de construire un écosystème autour de ses composants ICeGaN pour la conversion de puissance haute tension.
