ASML fédère les ténors des puces autour de la lithographie EUV High NA
En une journée, ASML a annoncé des avancées et des partenariats avec Intel Foundry, TSMC et Samsung pour accélérer l’adoption de sa technologie de lithographie dans l’ultraviolet extrême à haute ouverture numérique (EUV High NA) et sa transition vers les masques de 12 pouces.
Hier 7 septembre, ASML a multiplié les annonces liées à sa technologie de lithographie dans l’ultraviolet extrême à haute ouverture numérique (EUV High NA), en amont de la conférence SPIE sur les technologies de photomasquage. Trois partenariats distincts, avec Intel Foundry, TSMC et Samsung Electronics, ont en effet été annoncés simultanément afin de converger vers une même trajectoire industrielle : faire de la lithographie EUV High NA un standard progressif de l’industrie, d’abord sur les masques actuels de 6 pouces, puis via une transition coordonnée vers un format élargi de 12 pouces capable de soutenir les besoins croissants de l’IA en puces toujours plus denses et performantes.
Intel Foundry : plus d’un million de tranches déjà traitées
Intel Foundry a partagé le bilan de son utilisation en production de la technologie EUV High NA d’ASML, installée dès 2024 dans son usine D1X basée dans l’Oregon, avec plus d’un million de tranches traitées à ce jour, entre certification, tests initiaux, R&D et production en volume de certaines couches pour une partie des processeurs Intel Core Ultra Series 3 (Panther Lake).
Les produits fabriqués avec cette technologie en exploitant le nœud de gravure Intel 18A continuent d’offrir des performances égales ou supérieures aux couches comparables gravées sur la plateforme EUV classique à ouverture numérique de 0,33. Depuis plus de trois ans, Intel Foundry porte l’initiative de format de masque élargi, en coordination avec ASML, les fabricants de masques, les éditeurs d’outils de CAO électronique et les fabricants de semi-conducteurs.
Dès 2024, Intel a été le premier fondeur à réceptionner et assembler la TWINSCAN EXE:5000 d’ASML, un mastodonte de 165 tonnes à 380 millions de dollars l’unité, destiné à la lithographie EUV High NA – © ASML
« Intel Foundry a joué un rôle déterminant dans l’adoption de la technologie EUV High NA par l’industrie, depuis l’installation du premier système EXE commercial en 2024 jusqu’à la qualification de la dernière génération d’outils et la commercialisation du premier produit logique de grande série fabriqué avec la technologie EUV High NA », assure Christophe Fouquet, Pdg d’ASML.
« Les entreprises qui développent les produits d’IA de plus en plus complexes de demain ont besoin d’innovations de fabrication prêtes pour la production et faciles à utiliser. Intel Foundry se concentre sur la mise en œuvre à court terme de la technologie EUV High NA avec des masques de 6 pouces et sur la transition vers des masques de 12 pouces. Nous continuerons à collaborer étroitement avec ASML et l’ensemble du secteur pour permettre cette transition », précise de son côté Naga Chandrasekaran, vice-président exécutif d’Intel et codirecteur général d’Intel Foundry.
TSMC : une ligne pilote de masques 12 pouces d’ici 2031
Justement, ASML et TSMC ont annoncé une initiative conjointe pour accélérer la transition de l’industrie vers des photomasques de 12 pouces pour la lithographie EUV High NA. L’objectif est d’établir une ligne pilote de masques 12 pouces d’ici 2031, pour une entrée en production sur les nœuds technologiques avancés d’ici 2033.
Ce format plus grand est censé accroître la productivité des usines, réduire les coûts de fabrication et supprimer les contraintes d’assemblage, permettant ainsi aux fabricants de tirer pleinement parti de la technologie EUV High NA. TSMC prévoit d’utiliser cette technologie en production de grande série à partir de 2030, le nombre de couches nécessitant la lithographie EUV High NA devant augmenter avec la complexité croissante des architectures de transistors pour l’IA.
Christophe Fouquet, Pdg d’ASML : « Nous prévoyons que l’adoption de la lithographie EUV High NA augmentera progressivement au fil de la miniaturisation des puces, d’abord avec les masques actuels de 6 pouces, puis avec ceux de 12 pouces. » – © ASML
« Nous prévoyons que l’adoption de la lithographie EUV à haute ouverture numérique augmentera progressivement au fil de la miniaturisation des dispositifs, d’abord avec les masques actuels de 6 pouces, puis avec ceux de 12 pouces, qui permettront une productivité accrue des scanners et permettront à l’industrie de répondre à la demande de puces plus petites, plus rapides et plus économes en énergie », explique Christophe Fouquet.
Et pour y parvenir, CC Wei, directeur général de TSMC, a insisté sur la dimension collective du travail à effectuer. « Nous avons toujours été convaincus que la collaboration au sein de l’industrie pour résoudre des problèmes complexes ouvre de nouvelles perspectives qu’aucune entreprise ne pourrait atteindre seule », souligne le dirigeant du premier fondeur mondial.
Samsung : une première mondiale pour les Dram
Enfin, Samsung Electronics a annoncé l’extension de son partenariat de longue date avec ASML, en rejoignant l’initiative sectorielle sur les photomasques de 12 pouces. L’entreprise prévoit surtout d’intégrer, d’ici 2028, la lithographie EUV High NA à la production en grande série de mémoires Dram, ce qui constituerait une première et permettrait d’accélérer la miniaturisation des puces mémoire grâce à une résolution améliorée, tout simplifiant les procédés de fabrication.
« L’ère de l’IA transforme l’industrie des semi-conducteurs et renforce l’importance de l’innovation technologique tout au long de la chaîne de valeur. Samsung s’engage à maintenir son leadership dans la fabrication de semi-conducteurs de pointe, notamment dans les domaines de la mémoire et de la fonderie, grâce à des technologies révolutionnaires et à des partenariats solides comme ceux noués avec ASML », précise Young Hyun Jun, vice-président et directeur général de Samsung Electronics.
