Infineon franchit une étape importante vers le SiC en 300 mm
Après avoir récemment annoncé 1,1 milliard d’euros d’investissement pour industrialiser le GaN sur tranches de 300 mm à Villach, l’Allemand annonce avoir fabriqué ses premiers composants de puissance fonctionnels en carbure de silicium sur ce même diamètre.
Deux semaines seulement après avoir annoncé 1,1 milliard d’euros d’investissement pour industrialiser à grande échelle le GaN sur tranches de 300 mm dans son usine de Villach, Infineon Technologies annonce avoir réussi à fabriquer des composants de puissance fonctionnels en carbure de silicium (SiC) à partir de tranches de même diamètre et dans ce même site autrichien. Même si cela ne signifie pas encore que la production industrielle en grande série de SiC sur tranches de 300 mm est lancée, il s’agit tout de même d’une étape importante vers cet objectif. Le groupe allemand revendique en effet une première mondiale réalisée dans un environnement de production de semi-conducteurs à grande échelle, en s’appuyant sur des équipements initialement destinés à la fabrication de puces en silicium.
Rappelons que le passage du diamètre de 200 à 300 mm permettrait de produire 2,3 fois plus de puces par tranche, ce qui permettrait potentiellement d’améliorer l’efficacité de fabrication et de contribuer à sécuriser les approvisionnements en composants de puissance. Infineon ne communique toutefois pas encore de calendrier de montée en production pour le SiC en 300 mm : les prochaines étapes technologiques et leur rythme seront définis avec ses clients et partenaires. En parallèle, le fabricant poursuit sa feuille de route de production en 200 mm.
© Infineon Technologies
Cette avancée concerne un matériau particulièrement adapté à la conversion de puissance à haut rendement. Le SiC permet notamment de réduire les pertes énergétiques et d’accroître la densité de puissance, tout en fonctionnant à des tensions et températures élevées. Ses débouchés couvrent les onduleurs de traction, les chargeurs embarqués et les infrastructures de recharge pour véhicules électriques, le stockage d’énergie, les entraînements industriels et les alimentations sans interruption. Infineon relève également une demande croissante dans les centres de données dédiés à l’IA, pour les transformateurs à semi-conducteurs, les disjoncteurs et les alimentations électriques. Rappelons que le groupe commercialise ces solutions sous sa gamme CoolSiC.
En parallèle, Infineon a validé à Dresde, en Allemagne, la faisabilité de son procédé Cold Split appliqué à des lingots de SiC de 300 mm de diamètre. Cette technique permet de séparer les tranches avec moins de pertes de matière et un temps de traitement réduit par rapport au sciage conventionnel par fil, afin d’obtenir davantage de tranches à partir d’un même lingot, avec des investissements potentiellement moindres.
Cette annonce prolonge directement le programme engagé dans le GaN. Le 27 octobre, Infineon avait annoncé un investissement d’environ 1,1 milliard d’euros à Villach pour y établir la première unité européenne de production en grande série de composants de puissance en nitrure de gallium sur tranches de 300 mm. Les premières livraisons issues de cette ligne sont attendues fin 2027. Le groupe applique ainsi progressivement cette évolution du diamètre de fabrication à deux matériaux à large bande interdite, le GaN et le SiC, en complément du silicium.
« Avec le silicium, le nitrure de gallium et désormais le carbure de silicium sur des tranches de 300 millimètres, nous sommes en bonne position pour développer la production de semi-conducteurs à grande échelle et soutenir une croissance rentable », assure Jochen Hanebeck, directeur général d’Infineon Technologies.
Infineon présentera sa première tranche de SiC de 300 mm lors du salon electronica, à Munich, du 10 au 13 novembre.
