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Carte d’évaluation en demi-pont pour conception à base de transistors GaN

Carte d’évaluation en demi-pont pour conception à base de transistors GaN

GaN Systems, fabricant canadien de transistors de puissance au nitrure de gallium, vient d’annoncer une carte d’évaluation en demi-pont pour démontrer les performances de ses semiconducteurs de puissance à base de GaN dans des circuits de puissance réels. La carte d’évaluation aux fonctionnalités complètes GS66508T-EVBHB se configure dans toutes les topologies à base de demi-pont, y compris en modes élévateur et abaisseur de tension.

GaN-121115Conçue pour offrir aux ingénieurs électriciens un étage de puissance complet, la carte d’évaluation consiste en deux FET en GaN 650V, 30A GS66508T, des commandes de grille en demi-pont, une alimentation de commande de grille, et deux dissipateurs thermiques.

GaN Systems produit une gamme complète de transistors de puissance à base de GaN avec des tensions nominales de 100V et 650V et des courants nominaux de 7A à 250A. La conception de puce Island Technology de GaN Systems, associée à une faible inductance et au rendement thermique de son boîtier, assure à leur FET à base de GaN une amélioration d’un facteur 45 des performances en terme de commutation et de conduction par rapport aux MOSFET et IGBT traditionnels en silicium, assure le fabricant canadien.

Le kit comprend une documentation complète, y compris les codes produits des composants pour la nomenclature, le placement-routage et le contrôle thermique de la carte PCB, et une conception de référence de circuit de commande de grille.

Fabricant : GaN Systems

Référence : GS66508T-EVBHB

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