Infineon renforce sa collaboration avec Nvidia pour développer des convertisseurs de bus intermédiaire (IBC) haute tension à base de nitrure de gallium (GaN), destinés aux centres de données d’IA en 800 VDC. Objectif : accroître le rendement énergétique et la densité de puissance tout en réduisant l’encombrement et les contraintes thermiques.
Le groupe américain pourrait supprimer des postes dans le monde entier à l’issue de ses évaluations annuelles, annonce son Pdg, Cristiano Amon, dans une note interne consultée par Reuters. Les notifications débuteront en novembre, alors que le groupe se détourne peu à peu des smartphones.
Le fondeur américain a été choisi pour construire et exploiter deux nouvelles usines de semi-conducteurs à Malta, dans l’État de New York, dans le cadre d’un programme d’investissement nippo-américain pouvant atteindre 21 milliards de dollars. La première unité, prévue pour 2029, va accroître la production américaine d’un million de wafers par an et générer des milliers d’emplois.
Un accord pluriannuel prolonge vingt ans de collaboration et accompagne le passage d’Infineon du carbure de silicium en tranches de 150 mm à des tranches de 200 mm, pour renforcer la résilience de sa chaîne d’approvisionnement face à la demande de solutions SiC dédiées aux véhicules électriques et aux data centers d’IA.
Face à une croissance de son chiffre d’affaires supérieure à 50% en 2026, le distributeur américain va étendre son centre de distribution dans son site de Thief River Falls et automatiser davantage l’emballage et la préparation des commandes, afin de faire de la livraison le jour même la norme.
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