Circuits GaN : le Grenoblois Exagan s’allie à Hirex pour réduire le coût des onduleurs PV
La start-up grenobloise Exagan, qui innove dans les composants de puissance avec une technologie de nitrure de gallium (GaN) sur silicium, vient de signer un accord de partenariat stratégique avec le Toulousain Hirex Engineering afin d’établir la fiabilité de sa technologie en vue de son intégration, par exemple dans des onduleurs pour le photovoltaïque ou dans l’électronique de puissance associée aux panneaux solaires où elle apporte un triple avantage de coût, d’efficacité et de compacité.
Avec Exagan, l’objectif consistera à tester et qualifier des composants GaN, en l’occurrence des transistors G-FET qui se distinguent par une vitesse de commutation élevée, destinés aux convertisseurs de puissance notamment pour le solaire, l’automobile et les communications sans fil, et à faciliter leur utilisation.
Retrouver l’article dans son intégralité sur L’Echo du Solaire, l’hebdomadaire des professionnels du photovoltaïque édité par VIPress.net.
Initialement créée en 1993 à Toulouse, la société Hirex Engineering spécialisée dans le test et la qualification de circuits intégrés et de semiconducteurs discrets est passée dans le giron d’Alter Technology (division aéronautique et électronique du groupe TÜV Nord) en 2007.
Créée en 2014, la start-up Exagan concrétise ainsi une troisième alliance en un an. Elle a déjà signé un accord de coopération avec le CEA-Leti (dont Exagan est d’ailleurs un essaimage) qui a pour objectif d’accélérer sa feuille de route pour l’intégration de la technologie GaN sur silicium ainsi qu’avec le fondeur X-Fab pour mettre au point le procédé d’industrialisation des composants GaN sur silicium sur des tranches de 200 mm. Un premier tour de table lui a permis de lever 5,7 millions d’euros l’an passé.
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