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Composants de puissance en carbure de silicium 3,3 kV | Microchip

Composants de puissance en carbure de silicium 3,3 kV | Microchip

Microchip Technology annonce l’ajout à son portefeuille de produits en carbure de silicium (SiC) des Mosfet SiC 3,3 kV qu’il présente comme ayant la plus faible résistance à l’état passant, ainsi que des diodes Schottky SiC avec le courant nominal le plus élevé disponibles sur le marché.

Grâce à l’enrichissement du portefeuille de produits SiC de Microchip, les développeurs disposent des outils nécessaires pour développer des solutions plus compactes, plus légères et plus efficaces pour les applications de transport électrique, d’énergie renouvelable, aérospatiales et industrielles. Les Mosfet et les diodes Schottky SiC multiplient les options qui s’offrent aux développeurs pour l’électronique de puissance dans les systèmes de transport, d’énergie et industriels.

De nombreux systèmes basés sur des composants en silicium ont atteint leurs limites en termes d’amélioration de l’efficacité, de réduction des coûts système et d’innovation de l’application. Tandis que les SiC haute tension offrent une alternative ayant fait ses preuves pour obtenir ces résultats, jusqu’à présent, la disponibilité des composants de puissance SiC 3,3 V était limitée, explique le fournisseur. Les Mosfet 3,3 kV et les diodes Schottky (ou SBD, pour Schottky Barrier Diode) viennent compléter le portefeuille complet de solutions SiC de la société, qui comprend des puces, des composants discrets, des modules et des pilotes de grille numériques de 700 V, 1200 V et 1700 V.

Selon Microchip, ses composants de puissance SiC comprennent des Mosfet dotés de la plus faible résistance drain-source à l’état passant (RDS-On), de 25 mOhm, ainsi que des diodes Schottky dotées du courant nominal le plus élevé du marché, soit 90 A. Les Mosfet comme les diodes Schottky sont disponibles sous forme de puce nue ou encapsulée dans un boîtier. Ces nouveaux niveaux de performances permettent aux développeurs de simplifier leurs systèmes, de créer des systèmes haute puissance et d’utiliser moins de composants parallèles et ainsi obtenir des solutions plus compactes, plus légères et plus efficaces sur le plan énergétique.

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