Diode Schottky à faible courant inverse | Toshiba

Toshiba Electronics Devices & Storage Europe annonce le lancement de sa nouvelle diode barrière Schottky « CUHS10F60 ». Le composant est destiné aux applications telles que le redressement ou le blocage de courant de retour dans les circuits d’alimentation.

La nouvelle CUHS10F60 présente une résistance thermique très basse de 105°C/W dans son nouveau boîtier US2H dont le code boîtier est « SOD-323HE ». La résistance thermique du boîtier a été réduite d’environ 50% par rapport au boîtier USC classique, ce qui facilite grandement la conception thermique.

D’autres améliorations de performance ont également été apportées par rapport aux autres membres de la famille. Par rapport à une diode Schottky CUS04, le courant inverse maximum a été réduit d’environ 60% à 40 µA. Cela contribue à réduire la consommation des applications où cette diode est utilisée. En outre, sa tension inverse maximum a été augmentée de 40V à 60V. Par rapport à la CUS10F40, cela élargit l’éventail d’applications où cette diode peut être utilisée.

Fabricant : Toshiba

Référence :  CUHS10F60