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La modélisation des caractéristiques transitoires des composants de puissance est désormais plus précise

La modélisation des caractéristiques transitoires des composants de puissance est désormais plus précise

Avec ses modèles SPICE G2, Toshiba Electronics a misé sur la précision de simulation des caractéristiques transitoires des composants discrets de puissance, en réponse à une demande particulièrement forte dans le domaine de l’automobile.

La simulation est un outil précieux pour les concepteurs afin de réduire le nombre de prototypes nécessaires et de réduire les coûts de développement. C’est particulièrement vrai dans le monde exigeant de l’électronique de puissance et de la conception automobile, dans lequel il existe une forte demande de prévisions préliminaires de performances, en matière d’interférences électromagnétiques et de dissipation thermique de l’ensemble du système. Cela se traduit par une demande croissante de modèles SPICE pour semi-conducteurs de puissance, capables de prévoir les rendements de conversion de puissance, la performance EMI, etc.

A cet effet, Toshiba Electronics Europe vient de mettre à disposition des concepteurs des modèles SPICE G2 très précis, permettant de simuler le plus fidèlement possible les performances de leurs conceptions à base de composants électroniques de puissance, avant de passer sur du matériel. Ces nouveaux modèles viennent compléter les modèles Toshiba G0 SPICE existants qui, eux, privilégiaient la vitesse de calcul par rapport à la précision. Pour les modèles SPICE G2, le Japonais a tout misé sur la précision de simulation des caractéristiques transitoires des composants de puissance discrets.

« Ces nouveaux modèles SPICE G2 sont créés en utilisant le format macro-modèle, combinant plusieurs modèles compacts pour correspondre à la structure du dispositif, représentant les caractéristiques électriques avec quelques composants non linéaires et une fonction arbitraire continue. Grâce à cette approche, les simulations de commutation sont plus précises et plus proches des mesures réelles en améliorant la reproductibilité des caractéristiques de la courbe Id-Vds dans le domaine des courants élevés, y compris en ce qui concerne les caractéristiques de capacité parasite dépendantes de la tension », explique-t-on chez Toshiba Electronics Europe.

Disponibles sur le site web de Toshiba, les modèles G2 couvrent les Mosfet basse tension (12 V à 300 V) mais aussi ceux à moyenne et haute tension (400 V à 900 V). Des versions sont disponibles pour PSpice et LTSpice.

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