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Les Etats-Unis investissent 825 M$ dans un centre de R&D sur la lithographie EUV

Les Etats-Unis investissent 825 M$ dans un centre de R&D sur la lithographie EUV

Ce centre de R&D, le premier issu du Chips and Science Act, sera hébergé au sein de l’Albany NanoTech Complex de NY CREATE et a pour ambition d’accélérer la commercialisation des puces de prochaine génération et de renforcer le leadership technologique des États-Unis.

Toujours avec pour objectif de soutenir l’industrie américaine des semiconducteurs et de réduire sa dépendance vis-à-vis des technologies étrangères, le gouvernement américain a récemment lancé un investissement de 825 millions de dollars, dans le cadre du Chips and Science Act, pour ouvrir un centre de R&D dédié à la fabrication des semiconducteurs les plus avancés (nœuds de gravure de 7 nm et en dessous) exploitant la technologie de photolithographie dans l’ultraviolet extrême (EUV). L’objectif étant d’« accélérer la commercialisation des puces de prochaine génération » et de « renforcer le leadership technologique des États-Unis ».

Baptisé EUV Accelerator, ce centre de R&D, le premier issu du Chips and Science Act, sera hébergé dans l’État de New-York, au sein de l’Albany NanoTech Complex de NY CREATES (photo), un organisme américain qui sert de passerelle entre les laboratoires et les industriels pour l’électronique avancée, en encourageant les partenariats public-privé et industrie-université pour le développement technologique et l’innovation.

Avec une mise en service prévue en 2025, l’EUV Accelerator permettra notamment au NSTC (National Semiconductor Technology Center), un consortium public-privé dédié à la R&D sur les semiconducteurs et créé lors du lancement du Chips and Science Act, d’explorer les possibilités offertes par la lithographie aux UV extrêmes pour la fabrication des puces de prochaine génération exploitant les nœuds de gravure les plus fins.

C’est au sein de l’Albany NanoTech Complex de NY CREATES que sera hébergé l’EUV Accelerator – © NY CREATES

« Avec cette première installation de R&D d’ampleur et stratégique, le Chips and Science Act permet au NSTC d’accéder à la R&D et aux outils de pointe en matière de semiconducteurs avancés et son lancement représente une étape clé pour garantir que les États-Unis restent un leader mondial de l’innovation et de la R&D dans le domaine des semiconducteurs, argumente Gina Raimondo, secrétaire d’État au commerce des États-Unis. Le volet recherche et développement du Chips and Science Act est fondamental pour notre sécurité nationale à long terme et pour garantir que les États-Unis restent l’endroit le plus compétitif au monde sur le plan technologique. »

Le laboratoire disposera des machines de fabrication de puces les plus avancées au monde – notamment les machines EUV à haute ouverture numérique (High NA) développées par ASML et qui permettent de réaliser les nœuds de gravure les plus fins – et permettra aux chercheurs de l’industrie des semiconducteurs de collaborer avec leurs homologues universitaires.

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