Les Mosfet SiC 1200 V de Nexpéria désormais disponibles en boîtier D²PAK-7

Développés en coopération avec Mitsubishi Electric, les derniers Mosfet 1200 V en carbure de silicium de la série NSF0xx120D7A0 signée Nexperia se déclinent désormais en boitier CMS de type D²PAK-7. Outre le type de boîtier utilisé, Nexperia s’est attelé à réduire la variation de la résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) de ces composants en fonction de la température.

Principales caractéristiques:

• Mosfet SiC 1200V

• Boîtier CMS de type D²PAK-7

• Rds(on) – Résistance drain-source à l’état passant : 30, 40, 60 ou 80 mΩ (17 mΩ à venir)

• Variation de Rds(on) : +38% sur la plage de température allant de +25°C à +175°C contre 100%, voire plus, habituellement

Fabricant: Nexperia

Référence produit: NSF0xx120D7A0