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L’Italie va subventionner l’usine de substrats SiC de ST à hauteur de 292,5 millions d’euros

L’Italie va subventionner l’usine de substrats SiC de ST à hauteur de 292,5 millions d’euros

La Commission européenne a autorisé, en vertu des règles de l’Union en matière d’aides d’État, une subvention de l’Italie de 292,5 millions d’euros à STMicroelectronics  dans le cadre de son projet d’investir 730 M€ pour construire une usine de substrats en carbure de silicium à Catane, en Sicile. La mesure renforcera la sécurité d’approvisionnement, la résilience et la souveraineté numérique de l’Europe dans le domaine des technologies des semiconducteurs et contribuera également à mener à bien la transition numérique et la transition écologique, souligne la Commission. 

« La mesure italienne que nous avons autorisée renforcera la chaîne d’approvisionnement en semiconducteurs en Europe, ce qui nous aidera à réaliser nos transitions écologique et numérique. Grâce à cette mesure, notre industrie disposera d’une source fiable de substrats innovants pour des puces économes en énergie. Ces puces sont nécessaires pour les véhicules électriques, les stations de recharge et d’autres applications qui jouent un rôle important dans la transition écologique. La mesure créera également des opportunités pour des emplois hautement qualifiés en Sicile, tout en limitant les éventuelles distorsions de concurrence », assure Margrethe Vestager, vice-présidente exécutive chargée de la politique de concurrence.

L’aide se présentera sous la forme d’une subvention directe de 292,5 millions d’euros destinée à soutenir l’investissement de 730 millions réalisé par STMicroelectronics pour la construction d’une usine de tranches SiC (voir notre article). Le projet, qui devrait être achevé en 2026, sera la première chaîne de production intégrée à l’échelle industrielle de substrats épitaxiés en carbure de silicium SiC en Europe. Elle intégrera dans la même installation de production l’ensemble de la chaîne de valeur du substrat SiC, à savoir de la production de la matière première («poudre de SiC») à la fabrication des tranches SiC. Les tranches SiC seront prêtes à un emploi ultérieur après un traitement supplémentaire dans l’usine, au cours duquel elles seront recouvertes d’une couche épitaxiale spécifique qui améliorera leurs capacités techniques.

En contrepartie, dans le cadre de cette mesure, STMicroelectronics a accepté d’honorer les commandes classées prioritaires par l’UE en cas de pénurie d’approvisionnement, d’investir dans le développement de la prochaine génération de micropuces et de continuer à contribuer au renforcement de l’écosystème européen des semiconducteurs.

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