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MOSFET de puissance 100V canal-N pour applications industrielles | Toshiba

MOSFET de puissance 100V canal-N pour applications industrielles | Toshiba

Toshiba Electronics Europe a commencé à commercialiser deux nouveaux dispositifs 100V dans sa gamme de MOSFET de puissance U-MOS IX-H canal-N basse-tension. Ces nouveaux dispositifs sont adaptés aux alimentations électriques présentes dans les équipements industriels, ainsi qu’aux applications de commande moteur.

Fabriqués grâce au dernier procédé « trench » basse-tension U-MOS IX-H de Toshiba, qui optimise la structure des éléments, les TPH3R70APL et TPN1200APL offriraient les plus faibles résistances à l’état passant du marché, avec respectivement 3,7 mΩ et 11,5 mΩ. Ces dispositifs présentent une faible charge en sortie (QOSS : 74 / 24 nC) et une faible charge de commutation de porte (QSW : 21 / 7,5 nC), et on peut les piloter avec un niveau logique 4,5V.

Par rapport aux dispositifs actuels produits avec le procédé U-MOS VIII-H, ces nouveaux dispositifs présentent de meilleures valeurs de mérite que les autres MOSFET pour applications de commutation, notamment RDS(ON) Ÿ Qoss, et RDS(ON) ŸQSW.

Le TPH3R70APL se présente en boîtier SOP Advance de 5 x 6 mm et peut supporter des courants de drain (ID) jusqu’à 90A, tandis que le TPN1200APL se présente en boîtier TSON Advance de 3 x 3 mm et supporte des niveaux ID jusqu’à 40A.

Fabricant : Toshiba

Référence : TPH3R70APL et TPN1200APL

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