Samsung construit une nouvelle usine de flash NAND en Corée
Samsung Electronics annonce son intention d’étendre sa capacité de production de flash NAND à Pyeongtaek, en Corée. La construction du site, qui a commencé en mai, ouvrira la voie à la production en série de mémoires V-NAND de Samsung au cours du second semestre 2021.
« Le nouvel investissement réaffirme notre engagement à maintenir un leadership incontesté dans les technologies de mémoire, même en période d’incertitude. Nous continuerons à servir le marché avec les solutions les plus optimisées disponibles, tout en contribuant à la croissance de l’ensemble de l’industrie informatique et de l’économie en général », a déclaré Cheol Choi, vice-président exécutif de Memory Global Sales & Marketing chez Samsung Electronics.
À l’ère de la quatrième révolution industrielle alimentée par l’intelligence artificielle, l’Internet des objets et l’expansion de la 5G, cette nouvelle usine entend jouer un rôle majeur en aidant à répondre aux demandes à moyen et à long terme de mémoire flash NAND.
Le réseau d’unités de production de mémoires flash NAND de Samsung s’étend de Hwaseong et Pyeongtaek en Corée à Xi’an, en Chine. Créé en 2015, le campus Pyeongtaek de Samsung est un centre pour les technologies de mémoire de nouvelle génération, composé de deux des plus grandes chaînes de production au monde.
Ce nouvel investissement, dont le montant n’est pas divulgué, intervient quelques jours après l’annonce du Coréen de la construction d’une nouvelle ligne de production, à Pyeongtaek, afin d’augmenter sa capacité de fonderie pour répondre à la croissance de la demande mondiale en matière de solutions de pointe basées sur la lithographie EUV (ultraviolets extrêmes).
Tirant parti de son avantage significatif dans la fabrication et la technologie, Samsung occupe la position de leader dans les mémoires flash NAND depuis 18 ans.
Selon DRAMeXchange, une division de TrendForce, au premier trimestre 2020, Samsung s’est adjugé 33,3% du marché mondial des flash NAND, loin devant ses poursuivants : Kioxia (19%), Western Digital (15,3%), Micron (11,2%), SK Hynix (10,7%) et Intel (9,9%).
Selon le cabinet d’études taïwanais, au 1er trimestre, le marché mondial des mémoires flash NAND a progressé séquentiellement de 8,3%, à 13,6 milliards de dollars, porté par la hausse des prix, alors que les livraisons en nombre de bits ont été relativement stables.
